ROHMs neue N-Kanal-MOSFETs bieten hohe Zuverlässigkeit in Automobilanwendungen
AEC-Q101-qualifizierte Designs fördern Miniaturisierung und hocheffizienten Betrieb.
ROHM liefert N-Kanal-MOSFETs – RF9x120BKFRA / RQ3xxx0BxFRA / RD3x0xxBKHRB – mit niedrigem Einschaltwiderstand. Die AEC-Q101-qualifizierten Bauelemente eignen sich ideal für eine Vielzahl von Automobilanwendungen, darunter Stellmotoren für Türen und Sitzpositionierung sowie LED-Scheinwerfer. Der Verkauf hat mit zehn Modellen in drei Gehäusetypen begonnen. Für die Zukunft ist eine Erweiterung der Produktpalette geplant.
Im Automobilsektor steigt die Anzahl elektronischer Komponenten aufgrund der Nachfrage nach mehr Sicherheit und Komfort kontinuierlich an. Gleichzeitig besteht ein dringender Bedarf an verbesserter Leistungseffizienz zur Optimierung des Kraftstoff- und Stromverbrauchs. Insbesondere bei MOSFETs, die für Schaltanwendungen in Automobilsystemen unverzichtbar sind, wird immer häufiger ein niedrigerer Einschaltwiderstand gefordert, um Verluste und Wärmeentwicklung zu minimieren.
ROHM bietet bereits MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand für Verbraucher- und Industrieanwendungen an. Das Unternehmen hat diese Technologie nun auf den Automobilsektor ausgeweitet. Durch die Anpassung modernster Mittelspannungsprozesse an die strengen Zuverlässigkeitsanforderungen von Automobilprodukten konnte ROHM zehn N-Kanal-MOSFET-Modelle entwickeln, die sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand auszeichnen.
Die neuen Produkte werden mit Spannungen von 40 V, 60 V und 100 V angeboten. Sie verfügen über eine Split-Gate-Struktur, die einen niedrigen Einschaltwiderstand ermöglicht und so zu einem effizienteren Betrieb in Automobilanwendungen beiträgt. Alle Modelle sind gemäß Automotive-Standard AEC-Q101 qualifiziert, der eine außergewöhnlich hohe Zuverlässigkeit garantiert.
Anwender können je nach Applikation zwischen drei Gehäusetypen wählen. Für platzbeschränkte Anwendungen wie Fahrerassistenzsysteme sind die kompakten Gehäuse DFN2020Y7LSAA (2,0 mm × 2,0 mm) und HSMT8AG (3,3 mm × 3,3 mm) ideal. Speziell für Leistungsanwendungen im Automobilbereich ist auch das weit verbreitete TO-252 (DPAK)-Gehäuse (6,6 mm × 10,0 mm) erhältlich. Darüber hinaus hat ROHM die Zuverlässigkeit der Montage durch die Verwendung der Wettable-Flank-Technologie für das DFN2020Y7LSAA-Gehäuse und der Gull-Wing-Anschlüsse für das TO-252-Gehäuse weiter verbessert.
ROHM plant, sein Angebot an Mittelspannungs-N-Kanal-MOSFETs zu vergrößern. Ziel ist eine weitere Miniaturisierung und Effizienzsteigerung in Kfz-Anwendungen. Die Massenproduktion der Gehäuse DFN3333 (3,3 mm × 3,3 mm) und HPLF5060 (5,0 mm × 6,0 mm) ist für Oktober 2024 vorgesehen, gefolgt von 80-V-Produkten im Jahr 2025. Für die Zukunft sind auch P-Kanal-Produkte in Planung.
Produktspektrum
Anwendungsbeispiele
- Stellmotoren im Fahrzeug (z. B. für Türen, Sitzverstellung, elektrische Fensterheber)
- LED-Scheinwerfer
- Fahrzeug-Infotainment / Displays
- Fahrerassistenzsysteme (ADAS)
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