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TDK erweitert InsuGate SMT-Transformatorspannung auf 1000V
Die neuen 1 kV-Komponenten reduzieren den Platzbedarf der Leiterplatte um etwa 30%, verglichen mit herkömmlichen Transformatoren, die eine gleichwertige Isolierung bieten.
www.tdk.com

Die TDK Corporation hat ihre EPCOS InsuGate-Baureihe von SMT-Gate-Ansteuerübertragern deutlich erweitert und neue Varianten für DC-Betriebsspannungen bis 1000 V (Bestellnummer: B78541A25) vorgestellt. Die Bauelemente erfüllen die Norm IEC 61558-1/2-16 für die Grundisolierung und ermöglichen kompaktere Gate-Treiber-Designs für Wechselrichter-Module in Vollbrücken-Topologie, insbesondere in anspruchsvollen Umgebungen der E-Mobilität und Industrie. Ihre dreifach isolierte Wicklungsstruktur in Kombination mit einem MnZn-Ferritkern und einer optimierten Spulenarchitektur gewährleistet eine robuste Isolation in Anwendungen mit hohen Schaltfrequenzen, ohne dabei unnötig Platz auf der Leiterplatte zu beanspruchen oder die Zuverlässigkeit der Anwendung zu beeinträchtigen.
Mit einer Grundfläche von lediglich 13,85 x 10,5 x 9,2 mm³ (L x B x H) reduzieren die neuen Bauelemente mit 1 kV Nennspannung den Platzbedarf auf der Leiterplatte um ca. 30% im Vergleich zu herkömmlichen Ansteuerübertragern für einzelne Gates bei gleicher Isolation. Da ihre Induktivität bis +150 °C flach verläuft und sie eine Nenninduktivität von 75 µH sowie eine Koppelkapazität von nur 4 pF aufweisen, kommen die Bauelemente bei schnell schaltenden IGBT- und SiC-Leistungsschaltern zum Einsatz.
Die Serie ist nach AEC-Q200 Rev. E qualifiziert und wurde auf Basis einer Standard-Europakarte gemäß den Anforderungen der AQG 324 umfangreichen mechanischen Schwingtests unterzogen. Diese Tests weisen die Belastbarkeit der Module für den Antriebsstrang nach. Mit einer Teilentladungs-Löschspannung von ≥ 1,2 kV (Vpeak), einer verstärkten Isolationsspannung von 300 V (AC) sowie einer Hochspannungsprüfung bei 3 kV (AC) für 60 Sekunden bieten diese neuen Transformatoren eine zuverlässige Lösung für die galvanische Trennung in der Leistungselektronik der nächsten Generation.
Hauptanwendungsgebiete
- Getaktete Stromversorgung
- Gate-Treiber-Schaltungen
- Galvanisch getrennte DC/DC-Konverter
- Galvanisch getrennte einkanalige IGBT/SiC-Treiber-ICs
Haupteigenschaften und -vorteile
- DC-Arbeitsspannung bis 1000 V
- Kleine SMD-Bauform 13,85 x 10,5 x 9,2 mm³ (L x B x H)
- Flacher Verlauf der Induktivität über die Temperatur
- Koppelkapazität 4 pF (typ.)
- Teilentladungsfest
- RoHS-kompatibel
- Qualifiziert nach AEC-Q200 Rev. E
- Vibrationsfest gemäß AQG 324 auf Standard-Europakarte
- Breiter Temperaturbereich bis +150 °C
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