Infineon präsentiert CoolSiC MOSFET 750 V G2 Technologie
Infineons neue MOSFETs bieten einen ultra-niedrigen RDS(on), eine hervorragende thermische Leistung und hohe Schaltwirkungsgrade und eignen sich ideal für EV- und Industrieanwendungen wie Ladegeräte, Wandler, eFuses und Halbleiterrelais.
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Die Infineon Technologies AG bringt die neue CoolSiC™ MOSFET 750 V G2-Technologie auf den Markt, die für eine verbesserte Systemeffizienz und höhere Leistungsdichte in Automotive- und Industrieanwendungen entwickelt wurde. Die CoolSiC MOSFET 750 V G2-Technologie bietet ein differenziertes Portfolio mit typischen R DS(on)-Werten bis zu 60 mΩ bei 25°C und ist damit ideal für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter On-Board-Charger, DC-DC-Wandler, Zusatzgeräte für Elektrofahrzeuge (xEVs) sowie industrielle Anwendungen in den Bereichen EV-Ladetechnik, Solarwechselrichter, Energiespeichersysteme, Telekommunikation und Schaltnetzteile.
Die extrem niedrigen R DS(on)-Werte von 4 und 7 mΩ ermöglichen eine hervorragende Leistung in statischen Schaltanwendungen, wodurch sich die MOSFETs ideal für Anwendungen wie eFuse, Hochspannungs-Batterietrennschalter, Halbleiter-Leistungsschalter und Halbleiterrelais eignen. Der branchenweit niedrigste R DS(on) von 4 mΩ ist in dem top-side cooling Q-DPAK-Gehäuse von Infineon untergebracht, das für optimale thermische Performance und Zuverlässigkeit ausgelegt ist.
Die Technologie zeichnet sich außerdem durch einen exzellenten R DS(on) x Q OSS und einen branchenführenden R DS(on) x Q frr aus, was zu reduzierten Schaltverlusten sowohl in Hard- als auch in Soft-Switching-Topologien beiträgt – insbesondere in Hard-Switching-Anwendungsfällen mit hervorragender Effizienz. Durch die reduzierte Gate-Ladung ermöglicht die Technologie ein schnelleres Schalten und reduziert Gate-Ansteuerungsverluste, wodurch sie in Hochfrequenzanwendungen noch effizienter ist.
Überdies bieten CoolSiC MOSFETs 750 V G2 eine Kombination aus hoher Schwellenspannung V GS(th),typ von 4,5 V bei 25°C und einem extrem niedrigen Q GD/Q GS-Verhältnis, was die Robustheit gegenüber parasitärem Einschalten erhöht. Zudem ermöglicht die Technologie erweiterte Gate-Ansteuerungsfunktionen und unterstützt statische Gate-Spannungen von bis zu -7 V und transiente Gate-Spannungen von bis zu
-11 V. Durch diese verbesserte Spannungstoleranz profitieren Entwickler von größeren Design-Spielräumen und einer optimalen Kompatibilität mit anderen Bauteilen auf dem Markt.
Der CoolSiC 750 V G2 bietet eine hervorragende Schaltleistung, einfache Handhabung und höchste Zuverlässigkeit unter strikter Einhaltung der AEC Q101-Normen für Automobilkomponenten und der JEDEC-Normen für Industriekomponenten. Damit ermöglicht das Produkt effizientere, kompaktere und kostengünstigere Designs, die den ständig wachsenden Marktanforderungen gerecht werden, und unterstreicht das Engagement des Unternehmens für Zuverlässigkeit und Langlebigkeit in sicherheitskritischen Automobilanwendungen.
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