Nexperia stellt Hochgeschwindigkeits-Flip-Chip-Technologie für ESD-Schutz im Automobilbereich vor

Nexperia hat ein neues Portfolio von bidirektionalen ESD-Schutzdioden mit hoher Signalintegrität im innovativen Flip-Chip-Land-Grid-Array-Gehäuse (FC-LGA) vorgestellt. Diese neue Gehäusetechnologie schützt und filtert optimal Hochgeschwindigkeits-Datenkommunikationsverbindungen, die zunehmend in modernen Fahrzeugen eingesetzt werden. Anwendungen wie fahrzeuginterne Kamera-Videolinks, Multi-Gigabit-Ethernet-Netzwerke im Fahrzeug sowie Infotainment-Schnittstellen wie USBx, HDMIx und PCIex profitieren von einem hohen Schutz vor potenziell schädlichen ESD-Ereignissen.

Flip-Chip-Gehäuse minimieren parasitäre Komponenten – sie kommen ohne Bonddrähte oder Kupfer Leadframes aus, was zu hoher Leistung und ausgezeichneter Signalintegrität führt. Die neuen 2- und 3-poligen FC-LGA-Dioden von Nexperia bieten eine extrem niedrige Kapazität (<0,25 pF) und Einfügedämpfung (insertion loss) ( -3 dB bei 14,6 GHz ) – entscheidende Eigenschaften für Anwendungen mit hohen Datenraten. Beide Flip-Chip-Gehäuse, DFN1006L(D)-2 bzw. -3 mit zwei oder drei Pins respektive, haben die gleiche Grundfläche wie ihre Standard-Pendants und gewährleisten somit Drop-in-Kompatibilität. Sie bieten eine um bis zu 6 GHz verbesserte Bandbreite im Vergleich zu herkömmlichen DFN-Technologien. Die 3-Pin-Bauteile schützen zwei Kanäle und bieten eine Kapazitätsanpassung, was Platz spart und die Schaltungsleistung und -stabilität weiter verbessert.

Diese Diodenfamilie bietet nicht nur die beste Signalintegrität ihrer Klasse, sondern auch die branchenweit größte Auswahl an Sperrspannungen (Vrwm), darunter 5 V, 18 V, 24 V und 30 V. ESD-Schutzdioden mit höherer Spannung ermöglichen zudem eine flexible Platzierung auf der Leiterplatte zum Schutz mehrerer Bauteile, entlang einer Verbindung. Mit Produkten wie den PESD5V0H1BLG-Q im DFN1006LD-2- und PESD5V0H2BFG-Q-Gehäuse im DFN1006LD-3-Gehäuse ist Nexperia einziger Anbieter von Flip-Chip-Gehäusen mit side-wettable Flanks (SWF). Dies ermöglicht eine automatische optische Inspektion (AOI) der Lötstellen, um sicherzustellen, dass sie den hohen Qualitätsanforderungen der Automobilindustrie entsprechen, wo Sicherheit an erster Stelle steht.

"Diese neuen Dioden kombinieren side-wettable flanks mit einem DFN1006-Gehäuse, das für maximale Signalintegrität optimiert ist. Sie stellen eine erhebliche Verbesserung gegenüber den derzeit verfügbaren Optionen dar. Entwickelt, um den wachsenden Trend zu datenintensiven Anwendungen im Automobilbereich zu unterstützen, spiegeln sie Nexperias bewährte Expertise in der Gehäusetechnologie wider. Diese Markteinführung unterstreicht unser Engagement für innovative Lösungen, die den wachsenden Anforderungen von Ingenieuren in verschiedenen Branchen gerecht werden", sagt Alexander Benedix, Head of Product Group Protection and Filtering bei Nexperia.

Die ersten drei 5-V-Flip-Chip-Dioden befinden sich in Massenproduktion. Sechs Produkte mit 18 V, 24 V und 30 V sind in der Bemusterung und werden im 2. Quartal 2025 in Massenproduktion gehen.

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