FORVIA HELLA setzt bei der nächsten Generation an Ladelösungen auf den neuen CoolSiC Automotive MOSFET von Infineon
Der CoolSiC-MOSFET von Infineon ist für On-Board-Ladegeräte und DCDC-Anwendungen in 800-V-Fahrzeugarchitekturen konzipiert und wird in einem Q-DPAK-Gehäuse geliefert. Das Bauteil basiert auf der TSC-Technologie (Top-Side-Cooling), die eine hervorragende Wärmeleistung, eine einfache Montage und niedrige Systemkosten ermöglicht.
www.infineon.com
FORVIA HELLA, ein internationaler Automotive-Zulieferer, hat den neuen CoolSiC™ Automotive MOSFET 1200 V der Infineon Technologies AG für seine 800-V-DCDC-Ladelösung der nächsten Generation ausgewählt.
„Wir freuen uns, unsere Partnerschaft mit FORVIA HELLA fortzusetzen, bei der unsere hocheffizienten SiC-Produkte auf Basis der TSC-Gehäuse zum Einsatz kommen“, sagt Robert Hermann, Vice President of Automotive High-Voltage Chips and Discretes bei Infineon. “Wir arbeiten kontinuierlich daran, die E-Mobilität auf die nächste Stufe zu heben, indem wir fortschrittliche SiC-Lösungen bereitstellen, die die strengen Anforderungen an Leistung, Qualität und Systemkosten der Automotive-Branche erfüllen.“
„Unsere Kunden stehen für uns im Zentrum unserer Bemühungen. Genau aus diesem Grund haben wir uns bei unseren DCDC-Wandlern der nächsten Generation für den CoolSiC Automotive MOSFET 1200 V von Infineon entschieden“, sagt Guido Schütte, Mitglied des Electronics Executive Board bei FORVIA HELLA. “Gemeinsam mit Infineon werden wir weiterhin nachhaltige und innovative Produkte sowie umfassende Dienstleistungen anbieten, die die Erwartungen unserer Kunden übertreffen und die Entwicklung fortschrittlicher Mobilität vorantreiben.“
Der neue CoolSiC Automotive MOSFET 1200 V im Q-DPAK-Gehäuse basiert auf der Gen1p-Technologie und bietet eine Ansteuerspannung von V GS(off)= 0 V bis V GS(on)= 20 V. Die Abschaltung bei 0 V ermöglicht eine unipolare Gate-Steuerung, sodass sich die Anzahl der benötigten Bauteile auf der Leiterplatte reduziert und das Design vereinfacht wird. Mit einer Kriechstrecke von 4,8 mm erreicht das Gehäuse eine Betriebsspannung von über 900 V, ohne dass eine zusätzliche Isolationsbeschichtung erforderlich ist. Im Vergleich zur Rückseitenkühlung sorgt die TSC-Technologie für eine optimierte Leiterplattenbestückung, wodurch parasitäre Effekte reduziert werden und die Streuinduktivität deutlich geringer ausfällt. Dadurch profitieren Kunden von geringeren parasitären Eigenschaften des Gehäuses und geringeren Schaltverlusten. Die Wärmeableitung wird durch das Diffusionslöten des Chips mit der .XT-Technologie weiter verbessert.
Verfügbarkeit
Der CoolSiC Automotive MOSFET 1200 V im Q-DPAK-Gehäuse ist ab sofort erhältlich. Weitere Informationen sind erhältlich unter.
www.infineon.com
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