Neues E-Book von Mouser Electronics und onsemi zu den Vorteilen von Siliziumkarbid in der Leistungselektronik
Mouser Electronics, Inc., der autorisierte globale Distributor mit den neuesten elektronischen Bauteilen und Industrieautomatisierungsprodukten, stellt neues E-Book in Zusammenarbeit mit onsemi zur Verwendung von Siliziumkarbid (SiC)-Halbleitern im Design von Stromversorgungssystemen vor.
SiC-Bauteile revolutionieren mit ihren überlegenen Materialeigenschaften die Leistungselektronik und ermöglichen effizientere, kompaktere und nachhaltigere Energiesysteme. Im E-Book Enabling a Sustainable Future with Silicon Carbide Power Electronics (SiC-Leistungselektronik für eine nachhaltige Zukunft) erörtert onsemi die Vorteile von SiC, seine Verwendung in Elektrofahrzeugen und bei erneuerbaren Energien sowie die Bedeutung der Auswahl des passenden SiC-Partners. Als vertrauenswürdiger Hersteller von Stromversorgungslösungen bietet onsemi hochwertige SiC-Bauteile, eine zuverlässige Lieferkette und umfassende Designunterstützung.
Das E-Book enthält praktische Links zu den Leistungsprodukten von onsemi wie dem EliteSiC-MOSFET NTBG014N120M3P. Der NTBG014N120M3P ist ein für Leistungsapplikationen optimierter 1200-V-M3P-SiC-Planar-MOSFET. Die Planar-Technologie arbeitet zuverlässig bei negativen Gate-Treiber-Spannungen und Abschaltspitzen auf dem Gate. Dieser MOSFET eignet sich besonders für den Einsatz in Solarwechselrichtern, Ladestationen für Elektrofahrzeuge, Energiespeichersystemen und Schaltnetzteilen.
Der ebenfalls bei Mouser erhältliche EliteSiC-MOSFET NVBG1000N170M1 ist ein M1-Planar-Bauteil mit 1.700 V, das für schnellschaltende Applikationen optimiert ist. Dieses Bauteil ist AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig, wodurch es sich ideal für den Einsatz in Elektrofahrzeugen (EVs) und Hybridfahrzeugen (HEVs) eignet. In Elektro- und Hybridfahrzeugen ermöglichen die Vorteile von SiC-Komponenten kleinere, leichtere und effizientere Stromversorgungslösungen. Es wird weniger Energie verschwendet, was zu einer Verringerung der Anzahl der erforderlichen teuren Batterien führt.
Der Gate-Treiber NCP51705 wurde speziell zum Ansteuern von SiC-MOSFET-Transistoren entwickelt. Er ist in der Lage, die maximal zulässige Gate-Spannung für das SiC-MOSFET-Bauteil zu liefern und so Leistungsverluste zu minimieren. Durch Bereitstellung von hohem Spitzenstrom während des Ein-/Ausschaltens werden Schaltverluste minimiert.
Der isolierte Zweikanal-Gate-Treiber NCP51560 wurde für schnelles Schalten beim Ansteuern von SiC-MOSFET-Leistungsschaltern entwickelt. Zwei unabhängige, galvanisch isolierte Gate-Treiber-Kanäle können in beliebigen Bauformen mit zwei Low-Side-Schaltern, zwei High-Side-Schaltern oder einem Halbbrückentreiber mit programmierbarer Totzeit verwendet werden. Der NCP51560 bietet außerdem wichtige Schutzfunktionen wie eine unabhängige Unterspannungssperre für beide Gate-Treiber.
Das neue E-Book von Mouser und onsemi finden Sie unter.
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www.mouser.com
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