Neue OptiMOS™ 7 MOSFETs verbessern Durchlasswiderstand, Robustheit und Schalteffizienz von Automobilanwendungen
Die Infineon Technologies AG erweitert ihr Portfolio an OptiMOS™ 7-MOSFETs der nächsten Generation für Automobilanwendungen: Die 40-V-Produktfamilie umfasst nun zusätzliche Bauteile in weiteren robusten, bleifreien Gehäusen.
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Infineon erweitert das Portfolio der OptiMOS™ 7 MOSFETs für Automotive-Anwendungen und bietet jetzt 40-V-, 80-V- und 100-V-Produkte in bleifreien Gehäusen an. Diese MOSFETs sind für verschiedene Automobil- und Transportanwendungen optimiert.
Außerdem sind jetzt auch 80-V- und 100-V-MOSFETs verfügbar. Die Bauteile sind für alle Standard- und zukünftigen 48-V-MOSFET-Anwendungen im Auto optimiert, darunter elektrische Servolenkungen, Bremssysteme, Leistungsschalter in neuen Zonenarchitekturen, Batteriemanagement, E-Sicherungsboxen, DC/DC- und BLDC-Antriebe in verschiedenen 12-V- und 48-V-Bordnetzanwendungen. Sie eignen sich auch für andere Anwendungen im Transportbereich wie leichte Elektrofahrzeuge (LEV), e2wheeler, eScooter, eMotorräder sowie Nutz- und Landwirtschaftsfahrzeuge (CAV).
„Als Technologieführer bei Leistungshalbleitern setzt Infineon die zukünftigen Technologiestandards für Leistungs-MOSFETs im Automobilbereich in Bezug auf Leistungseffizienz, innovatives und robustes Power-Packaging und hohe Qualität“, sagt Axel Hahn, Senior Vice President und General Manager Automotive LV MOSFETs von Infineon. „Unser Ziel ist es, unseren Kunden ein breit gefächertes Produktportfolio anzubieten, das alle ihre Anforderungen erfüllt und die Entwicklung moderner Automobilanwendungen vorantreibt.“
Durch die Kombination von 300-mm-Dünnwafer-Technologie und innovativem Packaging bietet die neue OptiMOS 7-Technologie deutliche Leistungsvorteile in allen verfügbaren Spannungsklassen. Deshalb sind die Bauteile jetzt in verschiedenen robusten Automotive-Power-Gehäusen verfügbar, darunter Single SSO8 (5x6), Dual SSO8 (5x6), mTOLG (8x8) und sTOLL (7x8). Die Produktfamilie bietet eine hohe Leistungsdichte und Energieeffizienz mit dem branchenweit niedrigsten Durchlasswiderstand im kleinsten Formfaktor (Zum Beispiel mit 1,3 mΩ max im 80 V Single SSO8 (5x6) Gehäuse). Die Bauteile bieten außerdem geringere Schaltverluste, eine verbesserte Robustheit im sicheren Betriebsbereich (SOA) und eine hohe Avalanche-Robustheit. Damit ermöglichen sie ein hocheffizientes Systemdesign für zukünftige Automobilanwendungen .
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