Infineon treibt Dekarbonisierung mit nächster Generation von Siliziumkarbid-Technologie (CoolSiC™ MOSFET G2) für Power-Systeme weiter voran

Die Infineon Technologies AG schlägt ein neues Kapitel in der Leistungs- und Energieumwandlung auf und stellt die nächste Generation der Siliziumkarbid (SiC) MOSFET-Trench-Technologie vor.

Infineon CoolSiC™ MOSFET 650 V und 1200 V G2 arbeiten in allen Betriebsarten mit geringeren Leistungsverlusten in Photovoltaik-Wechselrichtern, Energiespeicheranlagen, EV-Ladegeräten und mehr.

Die neue Infineon CoolSiC™ MOSFET 650 V und 1200 V Generation 2 verbessert die Leistungskennzahlen von MOSFETs wie Speicherladung und Verlustenergien um mehr als 20 Prozent ohne dabei die Qualität und Zuverlässigkeit zu beeinträchtigen. Die Technologie ermöglicht eine höhere Gesamtenergieeffizienz und treibt die Dekarbonisierung weiter voran.

Die CoolSiC MOSFET-Technologie der zweiten Generation (G2) steigert konkret die Leistungsfähigkeit von Siliziumkarbid, indem sie weniger Energieverluste und damit einen höheren Wirkungsgrad bei der Leistungsumwandlung ermöglicht. Hier bieten sich Vorteile für Kunden in verschiedenen Halbleiteranwendungen wie Photovoltaik, Energiespeicherung, EV-Laden, Motorantriebe und industrielle Stromversorgung.

Eine Gleichstrom (DC)-Schnellladestation für Elektrofahrzeuge, die mit CoolSiC G2 ausgestattet ist, erleidet beispielsweise bis zu zehn Prozent weniger Leistungsverluste im Vergleich zu früheren Generationen und erzielt eine höhere Ladekapazität bei gleichbleibenden Größenverhältnissen. Durch den Einsatz von Traktionswechselrichtern, die auf CoolSiC G2-Geräten basieren, kann die Reichweite eines Elektrofahrzeugs weiter erhöht werden. Im Bereich der erneuerbaren Energien bieten Solarwechselrichter mit CoolSiC G2 kleinere Abmessungen bei gleichbleibend hoher Leistung, was zu niedrigeren Kosten pro Watt führt.

„Megatrends verlangen nach neuen und effizienten Wegen, Energie zu erzeugen, zu übertragen und zu verbrauchen. Mit dem CoolSiC MOSFET G2 hat Infineon ein neues Leistungsniveau bei Siliziumkarbid erreicht“, sagt Dr. Peter Wawer, Divisionspräsident Green Industrial Power bei Infineon. „Die neue Generation ermöglicht ein schnelles Design von kostenoptimierten, kompakten, zuverlässigen und hocheffizienten Systemen, die bei jedem Watt installierter Leistung Energieeinsparungen ermöglichen und letztlich CO 2-Emissionen senken.

CoolSiC MOSFET G2 stellt den starken Innovationsgeist von Infineon unter Beweis, mit dem wir Dekarbonisierung und Digitalisierung in den Bereichen Industrie, Verbraucher und Automobil stets weiter vorantreiben.“

Die fortschrittliche Trench-Technologie von Infineon trägt zusätzlich zu der leistungsstarken Performance von CoolSiC G2-Lösungen bei und bietet einen optimierten Design-Kompromiss, der im Vergleich zu branchenüblichen SiC-MOSFETs eine höhere Effizienz und Zuverlässigkeit ermöglicht. In Kombination mit der prämierten .XT-Gehäusetechnologie steigert Infineon das Potenzial von CoolSiC G2-basierten Designs mit höherer Wärmeleitfähigkeit, besserer Montagekontrolle und Leistung noch weiter.

Infineon beherrscht alle relevanten Energietechnologien in Silizium, Siliziumkarbid und Galliumnitrid (GaN) und bietet Designflexibilität und führendes Anwendungs-Know-how, das die Erwartungen und Anforderungen moderner Designer erfüllt. Innovative Halbleiter auf Basis von Wide-Bandgap (WGB)-Materialien wie SiC und GaN sind der Schlüssel zu einer bewussten und effizienten Energienutzung, die die Dekarbonisierung vorantreibt.

Registrieren Sie sich für das Online-Medienbriefing von Infineon zu CoolSiC MOSFET G2 am 5. März, 10 Uhr MEZ.

Erfahren Sie mehr über das „Wide-Bandgap Developer Forum 2024“ von Infineon am 16. April.

www.infineon.com

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