TOSHIBA KÜNDIGT IGBT-BAUSTEIN AUF BASIS SEINES NEUESTEN HALBLEITERPROZESSES AN

Der GT30J65MRB ist ein n-Kanal-IGBT im TO-3P(N)-Gehäuse mit 60 A Nennstrom und basiert auf Toshibas neuester Technologie mit einer optimierten internen TrenchStruktur. Diese verringert die Schaltverluste erheblich, die beim Abschalten nun 0,35 mJ betragen (bei 175°C) – eine Verbesserung von mindestens 40 % im Vergleich zu Bauteilen der vorherigen Generation. Diese Aufwertung spiegelt sich in der Durchlassspannung der eingebauten Diode wider, die nur 1,2 V misst, wodurch sich die Effizienz der Endgeräte verbessert.

Beim Einsatz von IGBTs der vorherigen Generation hätte die PFC-Stufe von Klimaanlagen eine Betriebsfrequenz von unter 40 kHz. Durch die geringeren Schaltverluste des neuen GT30J65MRB kann die obere Grenze auf 60 kHz angehoben werden, was den Wirkungsgrad erhöht und die Größe sowie das Gewicht der zugehörigen passiven Bauelemente reduziert.

Die Nachfrage nach Schaltern, die geringe Verluste und höhere Schaltfrequenzen bieten, steigt. Grund dafür ist der zunehmende Einsatz von Wechselrichtern in Klimaanlagen und die Notwendigkeit, den Stromverbrauch in großen Versorgungen für Industrieanlagen zu reduzieren. Toshiba wird seine Fertigung weiter ausbauen, um den Markttrends gerecht zu werden und einen Beitrag zu effizienteren Geräten und Systemen zu leisten.

www.global.toshiba.com