Mouser führt ab sofort UF4C/SC 1200-V-Gen-4-SiC-FETs von UnitedSiC (jetzt Qorvo) für Leistungsapplikationen

Mouser Electronics, Inc., der branchenweit führende Distributor für Neuprodukteinführungen mit der größten Auswahl an Halbleitern und elektronischen Bauelementen, führt ab sofort die UF4C und UF4SC 1200-V-Siliziumkarbid (SiC)-FETs von UnitedSiC jetzt Qorvo.

Als Teil der umfassenden Produktlinie an Hochleistungs-SiC-FETs bietet diese Gerätereihe der 4. Generation branchenführende Leistungskennzahlen für den Einschaltwiderstand und eignet sich damit für Stromversorgungslösungen für Applikationen mit Mainstream-800-V-Busarchitekturen wie On-Board-Ladegeräte für Elektrofahrzeuge, industrielle Akkuladegeräte, industrielle Netzteile, DC-DC-Solar-Umrichter und mehr.

Die bei Mouser Electronics erhältlichen UF4C/SC-SiC-FETs bieten Designern verschiedene Einschaltwiderstand- und Gehäuseoptionen. Die 1200-V-SiC-FETs werden als Versionen mit Einschaltwiderständen (RDS(on)) von 23 mΩ bis 70 mΩ und einem 3-Leiter-TO-247-3L-Gehäuse oder einem 4-Leiter-TO-247-4L-Gehäuse angeboten. Das TO-247-4L-Gehäuse umfasst ein Kelvin-Gate für eine extrem niedrige Gate-Ladung und hervorragende Sperrverzögerungseigenschaften zum Umschalten von induktiven Lasten und Applikationen mit Standard-Gate-Treiber.

Alle Geräte der UF4C/SC-Reihe können sicher mit Standard-Gate-Treibern mit 0 V bis 12 V oder 15 V betrieben werden. Damit bieten sie eine geeignete Alternative zu Silizium-IGBTs, FETs oder Super-Verzweigungs-Geräten ohne Änderung der Gate-Treiber-Spannung. Weitere nennenswerte Merkmale der UF4C/SC-SiC-FETs sind ein herausragender Schwellenwert-Rauschabstand, der mit einer wahren Schwellenspannung von 5 V aufrechterhalten wird, eine hervorragende Sperrverzögerung und eine integrierte ESD-Gate-Schutzklemme.

Mehr erfahren Sie unter https://eu.mouser.com/new/unitedsic/unitedsic-uf4csc-1200v-gen4-sic-fets/.

www.mouser.com

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