SiC-Leistungselektronik-Module von ON Semiconductor unterstützen die Solarwechselrichter von Delta

3-Phasen-Solarwechselrichter von Delta profitiert durch den hohen Wirkungsgrad 
der SiC-Technologie.

ON Semiconductor (Nasdaq: ON), Vorreiter im Bereich energieeffizienter Innovationen, stellt ein komplettes SiC-Leistungselektronikmodul für Solarwechselrichter vor, das von Delta, einem führenden Anbieter von Stromversorgungs- und Wärmemanagement Lösungen, für dessen 3-Phasen-Solarwechselrichter M70A ausgewählt wurde.

Die Serie NXH40B120MNQ kompletter SiC-Leistungsmodule enthält einen 1200 V/40 mΩ SiC-MOSFET und eine 1200 V/40 A SiC-Boost-Diode mit zwei Boost-Stufen. Die SiC-Technologie sorgt für geringe Sperrverzögerungs- und schnelle Schalteigenschaften, die erforderlich sind, um die in Anwendungen wie Solarwechselrichtern erforderliche hohe Energieeffizienz zu erzielen.

„Die Siliziumkarbid-Technologie hat das Potenzial, den Stromversorgungsmarkt zu revolutionieren", so Asif Jakwani, Senior Vice President der Advanced Power Division bei ON Semiconductor. „Unsere kompletten integrierten SiC-Leistungsmodule erfüllen die Anforderungen an einen besseren Systemwirkungsgrad bei erhöhten Leistungsniveaus in Solarwechselrichtern und demonstrieren die Ausgereiftheit der SiC-Technologie.“

Raymond Lee, Leiter der PV Inverter Business Unit bei Delta, fügte hinzu: „Mit unserem Fokus auf innovative, saubere und energieeffiziente Lösungen für eine bessere Zukunft sind wir stets bemüht, mit Lieferanten zusammenzuarbeiten, die uns dabei helfen, den höchsten Wirkungsgrad zu erzielen, das Produktvolumen und -gewicht zu reduzieren und die Anforderungen des weltweiten Markts für Solartechnik zu erfüllen. Die SiC-Leistungsmodule von ON Semiconductor wurden für unseren 70 kW-/
3-Phasen-Solar Stringwechselrichter M70A ausgewählt, weil sie die höchste Leistungsfähigkeit ihrer Klasse bieten, die zusammen mit unserem Know-how rund um hocheffiziente Leistungselektronik es unseren Produkten ermöglicht, Spitzenwirkungsgrade bei der Energieumwandlung von bis zu 98,8 % zu erzielen.“

Als Teil des wachsenden PIM-Angebots (Power Integrated Modules) von ON Semiconductor, das auf der Wide-Bandgap-(WBG-)Halbleitertechnologie basiert, bietet der NXH40B120MNQ ein hohes Maß an Integration mit einer für das Wechselrichterdesign optimierten Anschlussbelegung. Durch den Einsatz von SiC-Bauteilen bietet das Leistungsmodul geringe Leitungs- und Schaltverluste und ermöglicht die Verwendung höherer Schaltfrequenzen, was zu einer höheren Inversionsgüte beiträgt. Die Module sind auf einfache Handhabung ausgelegt und bieten je nach Wunsch lötfreie Pressverbindungen und kundenspezifische Optionen für die Wärmeschnittstelle.

Das komplette SiC-Leistungsmodul NXH40B120MNQ ist als 2-Kanal- und 3-Kanal-Variante erhältlich und wird durch das NXH80B120MNQ0 ergänzt, ein 2-Kanal-Modul, das einen 1200 V/80 mΩ SiC-MOSFET mit 1200 V/20 A SiC-Diode enthält.

www.onsemi.com

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