Toshiba steigert industrielle Effizienz mit Gate-Treiber-Optokopplern

Toshiba Electronics Europe GmbH („Toshiba“) erweitert sein Portfolio um Gate-Treiber-Optokoppler der TLP579xH-Serie, die für GateStröme der Klassen 1 A und 6 A ausgelegt sind. Sie eignen sich ideal für kleine bis mittelgroße MOSFET- und IGBT-Ansteuerungen. Die neuen Bauteile erfüllen die steigende Nachfrage nach isolierten Gate-Treibern, die HochspannungsLeistungsbauelemente zuverlässig von der Niederspannungs-Steuerseite aus ansteuern und dabei eine hohe Zuverlässigkeit über einen breiten Temperaturbereich bieten.

Die TLP579xH-Serie ist besonders geeignet für die Ansteuerung von SiC-MOSFETs und IGBTs in Anwendungen von erneuerbaren Energien und in der industriellen Automatisierung, etwa in Photovoltaik-Wechselrichtern, unterbrechungsfreien Stromversorgungen (USVs) und Ladestationen für Elektrofahrzeuge (EVs), die unter anspruchsvollen thermischen Bedingungen betrieben werden.

Alle drei Bausteine der TLP579xH-Serie sind dafür ausgelegt, kleine bis mittelgroße Leistungsbauelemente sowie IGBTs anzusteuern. Der TLP5791H bietet eine SpitzenAusgangsstromleistung von -1,0/+1,0 A für High-/Low-Level-Ausgänge (IOLH/IOHL), mit einer Einschalt-Unterspannungssperre (UVLO) von maximal 9,5 V (VUVLO+), einer AbschaltUnterspannungsschwelle von mindestens 7,5 V (VUVLO-) und einer typischen UVLOHysterese (VUVLOHYS) von 0,5 V.

Beim TLP5794H reicht der Spitzen-Ausgangsstrom von -6,0/+4,0 A IOLH/IOHL, mit einem VUVLO+ von maximal 13,5 V, einem VUVLO- von mindestens 9,5 V und einer typischen VUVLOHYS von 1,5 V.

Der TLP5795H erreicht -4,5/+5,3 A für den Spitzen-Ausgangsstrom (IOLH/IOHL), mit einem VUVLO+ von maximal 13,5 V, einem VUVLO- von mindestens 11,1 V und einer typischen VUVLOHYS von 1,0 V.

Die Signallaufzeit (Propagation Delay Time) weist eine geringe Temperaturabhängigkeit auf, was einen stabilen Betrieb im praxisrelevanten Temperaturbereich von Automatisierungssystemen ermöglicht. Darüber hinaus handelt es sich bei der TLP579xH-Serie um Bausteine mit Rail-to-Rail-Ausgang, wodurch Schaltvorgänge mit minimalem Spannungsabfall gegenüber der Versorgungsspannung realisiert werden können. Diese Eigenschaft ist besonders vorteilhaft in Anwendungen, bei denen Schaltungen mit niedrigen Spannungen betrieben werden oder Signale über den gesamten Bereich der Versorgungsspannung verarbeitet werden müssen.

Darüber hinaus hat Toshiba die Lichtausbeute der infraroten Leuchtdiode (LED) auf der Eingangsseite verbessert und das Design des lichtempfindlichen Elements (PhotodiodenArray) im Vergleich zur aktuellen Produktreihe optimiert. Diese Verbesserungen erhöhen die optische Kopplungseffizienz des Bausteins und ermöglichen den Betrieb in einem Temperaturbereich von -40  °C bis +125  °C. Zudem hat Toshiba die Signallaufzeit (Propagation Delay Time) sowie die Laufzeitabweichung (Propagation Delay Skew) innerhalb dieses Temperaturbereichs standardisiert.

Die TLP579xH-Serie ist in einem kompakten SO6L-Gehäuse untergebracht, was die Flexibilität bei der Platzierung der Bauteile auf der Leiterplatte erhöht. Darüber hinaus verfügen die neuen Produkte über eine minimale Kriechstrecke von 8,0  mm sowie eine Isolationsspannung von 5000 VRMS, wodurch sie sich für den Einsatz in Geräten eignen, die eine hohe Isolationsfestigkeit erfordern.

www.toshiba.de