ROHM bringt neue Level-3-SPICE-Modelle mit verbesserter Simulationsgeschwindigkeit auf den Markt
Neue L3-Modelle für 4. Gen SiC-MOSFETs halbieren die Simulationszeit und steigern Genauigkeit und Effizienz im Design.
www.rohm.com
Die Modelle können im Abschnitt „Modelle & Tools“ auf den einzelnen SiC-MOSFET-Produktseiten der vierten Generation heruntergeladen werden
ROHMs neue Level-3-SPICE-Modelle zeichnen sich durch eine deutlich verbesserte Konvergenz und schnellere Simulationsleistung aus.
Da Verluste von Leistungshalbleitern die Gesamteffizienz eines Systems stark beeinflussen, ist eine hohe Simulationsgenauigkeit in der Entwurfsphase entscheidend. ROHMs bisherige Level-1-SPICE-Modelle für SiC-MOSFETs erfüllten diese Anforderung, indem sie die wichtigsten Bauelementeigenschaften präzise abbildeten. Herausforderungen wie Konvergenzprobleme bei der Simulation und lange Berechnungszeiten machten jedoch weitere Verbesserungen erforderlich.
Die neuen L3-Modelle verwenden einen vereinfachten Ansatz, der sowohl die Rechenstabilität als auch die genaue Wiedergabe der Schaltverläufe beibehält. Gleichzeitig reduziert er die Simulationszeit im Vergleich zu den L1-Modellen um etwa 50 %. Dies ermöglicht eine hochgenaue Transientenanalyse des gesamten Schaltkreises in deutlich kürzerer Zeit. Dadurch werden die Bewertung von Bauelementen und die Verlustanalyse in der Anwendungsentwicklung vereinfacht.
Seit April 2025 bietet ROHM 37 L3-Modelle für seine SiC-MOSFETs der vierten Generation an. Diese stehen im Abschnitt „Modelle & Tools“ auf jeder Produktseite zum Download zur Verfügung. Die L1-Modelle werden weiterhin neben den neuen Versionen angeboten. Außerdem wird ein umfassendes White-Paper bereitgestellt, das die Einführung und Nutzung der Modelle erleichtert.
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Auch in Zukunft wird ROHM seine Simulationstechnologie weiterentwickeln, um leistungsfähigere und effizientere Anwendungen zu ermöglichen und somit Innovationen im Bereich der Energieumwandlung zu fördern.
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