Infineon präsentiert branchenweit erste DLA-JANS-zertifizierte GaN-Transistoren für Weltraummissionen
Infineons strahlungsharte GaN-Transistoren auf Basis der CoolGaN-Technologie und zertifiziert nach MIL-PRF-19500/794 bieten unübertroffene Effizienz und Zuverlässigkeit für missionskritische Raumfahrtanwendungen.
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Die Infineon Technologies AG bringt eine neue Produktfamilie strahlungsbeständiger (rad-hard) Gallium-Nitrid (GaN)-Transistoren auf den Markt. Auf Basis der bewährten CoolGan™-Technologie von Infineon sind die Transistoren speziell für den Einsatz in rauen Weltraumumgebungen konzipiert. Bei der neuen Technologie handelt es sich um den ersten komplett in der eigenen Fab gefertigten GaN-Transistor, der die höchste Qualitätszertifizierung für Zuverlässigkeit erhalten hat. Diese wird von der United States Defense Logistics Agency (DLA) nach der Joint Army Navy Space (JANS) Spezifikation MIL-PRF-19500/794 vergeben.
Die neuen strahlungsgehärteten GaN-Leistungstransistoren sind für sogenannte „mission critical“, Anwendungen konzipiert, die für Raumfahrzeuge in der Umlaufbahn mit bemannten Weltraummissionen und interstellare Sonden erforderlich sind. Die Transistoren kombinieren die robuste Leistung von GaN-HEMTs (High Electron Mobility Transistor) mit der mehr als 50-jährigen Erfahrung von Infineon in hochzuverlässigen Anwendungen. Sie bieten erstklassige Effizienz, Wärmemanagement und Leistungsdichte für kleinere, leichtere und zuverlässigere Raumfahrtdesigns. Die Bausteine ergänzen Infineons bewährtes Portfolio an strahlungsgehärteten Silizium-MOSFETs und bieten Kunden Zugang zu einem umfassenden Portfolio von Power-Lösungen für Raumfahrtanwendungen.
„Das Infineon HiRel-Team treibt die Grenzen des Leistungsdesigns mit unserer neuen GaN-Transistor-Linie weiter voran,“ sagt Chris Opoczynski, Senior Vice President und General Manager HiRel bei Infineon. „Dieser Meilenstein bringt die nächste Generation hochzuverlässiger Power-Lösungen für Verteidigungs- und Weltraumanwendungen, die die überlegenen Materialeigenschaften von Wide-Bandgap-Halbleitern nutzen, und unsere Kunden im wachsenden Luft- und Raumfahrtmarkt unterstützen.“
Die ersten drei Produktvarianten der neuen strahlungsbeständigen GaN-Transistoren sind 100 V 52 A Bauelemente mit einem branchenführenden (R DS(on) von 4 mΩ und einer Gesamt-Gate-Ladung (Qg) von 8,8 nC. Die Transistoren sind in robusten, hermetisch versiegelten Keramikgehäusen für die Oberflächenmontage untergebracht und bis zu einem LET (GaN) = 70 MeV.cm2/mg (Au-Ionen) durch Einzeleffekt gehärtet. Zwei Bauteile, die nicht JANS-zertifiziert sind, wurden auf eine ionisierende Gesamtdosis (TID) von 100 krad und 500 krad geprüft. Das dritte Bauteil, das auf 500 krad TID geprüft wurde, ist gemäß der strengen JANS-Spezifikation MIL-PRF-19500/794 qualifiziert.
Infineon ist das erste Unternehmen in der Branche, das die DLA-JANS-Zertifizierung für vollständig intern gefertigte GaN-Leistungsbauelemente erhalten hat. Die DLA-JANS-Zertifizierung erfordert ein strenges Screening und Quality of Service Class Identifiers, um die für Raumfahrtanwendungen erforderliche Leistung, Qualität und Zuverlässigkeit zu gewährleisten - damit ist Infineon führend bei GaN für Anwendungen mit hoher Zuverlässigkeit. Infineon testet außerdem mehrere Chargen in seiner eigenen Fertigung, bevor die JANS-Produktion freigegeben wird, um die langfristige Zuverlässigkeit der Produktion zu gewährleisten.
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