Infineon OptiMOS™ 6 80 V MOSFET setzt neue Maßstäbe bei energieeffizienter DC-DC-Wandlung in führender KI-Server-Plattform
Integration in die IBC-Stufe eines globalen KI-Serveranbieters senkt Energieverluste und verbessert thermische Performance.
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Grafikprozessoren (GPUs) werden immer leistungsfähiger und somit steigen auch die Leistungsanforderungen auf der Board-Ebene. Intermediate Bus Converters (IBCs) – welche beispielsweise eine 48-V-Eingangsspannung in eine niedrigere Busspannung umwandeln – werden immer wichtiger für Energieeffizienz, Leistungsdichte und thermische Leistung in KI-Rechenzentren. Die Infineon Technologies AG gab bekannt, dass ihre OptiMOS™ 6 80 V Leistungs-MOSFETs in einem kompakten 5x6 mm² großen DSC-Gehäuse (Dual Side Cooling) in die IBC-Stufe einer KI-Serverplattform eines weltweit führenden Prozessorherstellers integriert wurden. Anwendungstests zeigen eine Effizienzsteigerung von rund 0,4 Prozent im Vergleich zu bisher verwendeten Lösungen, was einer Einsparung von ungefähr 4,3 W pro kW Last entspricht. Bei der Übertragung auf Serverracks oder ganzen Rechenzentren führt dies zu erheblichen Energieeinsparungen auf Systemebene. In einem hypothetischen Rechenzentrum mit 2.000 Racks würde dies beispielsweise in einer Energieeinsparung von über 1,2 MWh pro Stunde resultieren. Dies entspricht der Energie, die zum Aufladen von 25 kleinen Elektrofahrzeugen benötigt wird. Die Folgen dieser Entwicklung sind weitreichend: Sie ermöglichen Betreibern von Rechenzentren, Kosten zu sparen und CO 2-Emissionen zu verringern.
Da die Nachfrage nach KI-Computern weiter steigt, wird auch der Bedarf an effizienten Power-Management-Lösungen wachsen. Mit dem OptiMOS 6 80 V bietet Infineon eine Hochleistungslösung für KI-Server-IBCs und erfüllt die wachsende Nachfrage nach Energieeffizienz. Der OptiMOS 6 80 V MOSFET von Infineon im 5x6 mm² großen Dual-Side-Cooling (DSC) Gehäuse bietet eine optimierte Schaltleistung in Hard-Switching-Topologien und eine hohe Energieeffizienz durch geringere Leitungsverluste. Darüber hinaus ermöglicht das kompakte Gehäuse eine beidseitige Kühlung, was zu einem verbesserten Wärmemanagement und einer höheren Leistungsdichte beiträgt – beides ist in KI-Server-Umgebungen mit begrenztem Platzangebot von entscheidender Bedeutung. Der OptiMOS 6 80 V ist Teil des breiten Portfolios an Silizium-Leistungs-MOSFETs von Infineon, das für die wachsenden Anforderungen an Leistung, Effizienz und Integration in KI-Server-Anwendungen entwickelt wurde. Die Produktpalette nutzt die neueste MOSFET-Technologie und bietet verschiedene anwendungsspezifische Varianten, die für unterschiedliche Kühlkonzepte und Systemanforderungen optimiert sind. Die Silizium-Leistungs-MOSFETs von Infineon erfüllen die höchsten Qualitäts- und Schutzstandards und ermöglichen so eine gesicherte Produktzuverlässigkeit, eine zuverlässige Systembetriebszeit und eine bewährte Versorgungsstabilität.
Als führendes Unternehmen im Bereich Leistungshalbleiter beherrscht Infineon alle drei relevanten Halbleitermaterialien und verfügt über ein breites Portfolio an Power-Lösungen basierend auf Silizium (Si), Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN).
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