Infineon und Enphase verbessern Energieeffizienz und senken Kosten mit 600 V CoolMOS 8 MOSFETs
Die 600 V CoolMOS 8 Hochspannungs-Superjunction MOSFET-Produktfamilie der Infineon ermöglicht es Enphase Energy, einem globalen Energietechnologieunternehmen und führenden Anbieter von Mikro-Wechselrichter-basierten Solar- und Batteriesystemen, das Systemdesign zu vereinfachen und Montagekosten zu reduzieren.
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Mit Hilfe der 600 V CoolMOS 8 SJ-Technologie kann Enphase den MOSFET-Widerstand (R DS(on)) in ihren Solarwechselrichtersystemen erheblich senken, was zu geringeren Leitungsverlusten und einer Verbesserung der Gesamteffizienz des Systems sowie einer Erhöhung der Leistungsdichte führt. Darüber hinaus konnte das Unternehmen MOSFET-bezogene Kosten einsparen.
„Wir freuen uns, mit Enphase zusammenzuarbeiten und ihre Mission zu unterstützen, innovative Solarenergielösungen zu liefern“, sagt Richard Kuncic, Senior Vice President und General Manager bei Infineon. „Unsere 600 V CoolMOS 8 SJ MOSFETs sind darauf ausgelegt, erstklassige Effizienz, Zuverlässigkeit und Kosteneinsparungen zu bieten. Dies passt perfekt zu dem Engagement von Enphase und Infineon, die Leistung und Erschwinglichkeit erneuerbarer Energietechnologien weiter voranzutreiben und die Dekarbonisierung zu fördern.“
„Die Zusammenarbeit mit Infineon ermöglicht es uns, ihre CoolMOS 8 SJ MOSFET-Technologie zu nutzen, um die Leistung und Kosteneffizienz unserer Mikro-Wechselrichtersysteme zu verbessern“, sagt Aaron Gordon, Senior Vice President und General Manager der Systems Business Unit bei Enphase Energy. „Diese Partnerschaft unterstreicht unser Engagement für Innovation und Exzellenz in der Solarenergiebranche, und wir freuen uns über die signifikanten Verbesserungen in der Leistungsdichte und die Kosteneinsparungen, die wir unseren Kunden nun bieten können.“
Die neuesten CoolMOS 8 MOSFETs mit 600 V von Infineon führen weltweit die Hochspannungs-Superjunction-MOSFET-Technologie an und setzen den globalen Standard für Technologie und Preis-Leistungs-Verhältnis. Die Technologie erhöht die Gesamtleistung des Systems und verstärkt die Dekarbonisierungseffekte bei Ladegeräten und Adaptern, Solar- und Energiespeichersystemen, EV-Ladestationen und unterbrechungsfreien Stromversorgungen (USV), um nur einige Beispiele zu nennen.
Die CoolMOS 8 SJ MOSFETs haben eine 18 Prozent geringere Gate-Ladung als die CFD7-Serie und 33 Prozent weniger als die P7-Serie. Eine reduzierte Gate-Ladung ermöglicht es, dass weniger elektrische Ladung an das Gate eines MOSFETs geliefert werden muss, um ihn vom ausgeschalteten Zustand (nicht-leitend) in den eingeschalteten Zustand (leitend) zu schalten, was eine energieeffizientere Systemleistung ermöglicht. Zudem besitzen die CoolMOS 8 SJ MOSFETs die schnellste Ausschaltzeit auf dem Markt und ihre thermische Leistung wurde im Vergleich zur vorherigen Generation um 14 bis 42 Prozent verbessert. Die neueste CoolMOS 8 SJ-Technologie ist mit einer integrierten schnellen Body-Diode ausgestattet und in SMD-QDPAK-, TOLL- und Thin-TOLL-8x8-Gehäusen erhältlich, wodurch sie für eine Vielzahl von Verbraucher- und Industrieanwendungen geeignet ist.
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