OptiMOS 6 135 V und 150 V MOSFETs ermöglichen höhere Effizienz in Antrieben und Schaltnetzteilen
Die Infineon Technologies AG erweitert ihr OptiMOS™ 6 MOSFET-Portfolio um die neuen 135-V- und 150-V-Produktfamilien.
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Die Bauteile wurden für die Anforderungen von Antrieben und Schaltnetzteilen (SMPS) entwickelt und ergänzen die kürzlich vorgestellten OptiMOS 6 120 V MOSFETs. Mit dem erweiterten Portfolio bietet Infineon seinen Kunden eine große Auswahl an Alternativen für verschiedene Anwendungen. Die geringeren Schaltverluste der Produktfamilien kommen Anwendungen wie Server-SMPS, PV-Optimierern, USB-Ladegeräten mit hoher Leistung und Telekommunikation zugute. Durch die reduzierten Leitungsverluste eignen sie sich zudem besonders für Motor-Wechselrichter in E-Gabelstaplern und Elektroleichtfahrzeugen (LEVs).
Im Vergleich zur vorherigen Generation (OptiMOS 5 150 V MOSFETs) bieten die neuen Produktfamilien einen um bis zu 50 Prozent reduzierten Durchlasswiderstand R DS(on), während die Gate-Gesamtladung FOM g um 20 Prozent gesenkt wurde. Dank des sehr niedrigen R DS(on), der verbesserten Schaltleistung und des hervorragenden EMI-Verhaltens bieten sie eine ausgezeichnete Effizienz, Leistungsdichte und Zuverlässigkeit. Aufgrund einer schnelleren und weicheren Body-Diode kann die Sperrverzögerungsladung Q rr um bis zu 59 Prozent reduziert werden. Das verringert Überschwingen und Ringing.
Die OptiMOS 6 135 V und 150 V MOSFETs sind in einer Vielzahl von Gehäusen erhältlich. Das breite Gehäuseportfolio umfasst TO-220, D 2PAK 3-Pin, D 2PAK 7-Pin, TOLL, TOLG, TOLT, SuperSO8 5x6 und 3,3 x 3,3 mm 2-PQFN.
Die OptiMOS 6 135 V und 150 V MOSFETs sind ab sofort erhältlich.
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