TOSHIBA ERWEITERT SEINE U-MOS X-H PRODUKTREIHE AN 150 VN-KANAL- LEISTUNGS-MOSFETS MIT HIGH SPEED BODY DIODEN

Toshiba Electronics Europe GmbH stellt zwei neue 150-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs vor, die auf dem U-MOS X-H Trench-Prozess der neuesten Generation basieren. Die Bauelemente TPH1100CQ5 und TPH1400CQ5 sind speziell für den Einsatz in Hochleistungs-Schaltnetzteilen konzipiert, wie sie beispielsweise in Rechenzentren und Kommunikations-Basisstationen sowie in anderen industriellen Anwendungen eingesetzt werden.

Mit einer maximalen Drain-Source-Spannung (V_DSS) von 150 V und einem Drain-Strom (I_D) von 49 A (TPH1100CQ5) bzw. 32 A (TPH1400CQ5) bieten die neuen Komponenten einen maximalen Drain-Source-Einschaltwiderstand (RDS_(ON)) von 11 mΩ bzw. 14 mΩ.

Durch die Optimierung der Body Diode zeichnen sich die beiden neuen Produkte durch verbesserte Sperrverzögerungseigenschaften aus, die bei Anwendungen mit Synchrongleichrichtung von entscheidender Bedeutung sind. Beim TPH1400CQ5 ist die Sperrverzögerungsladung (Qrr) um ca. 73 % auf 27 nC (typ.) reduziert, während die Sperrverzögerungszeit (trr) mit 36 ns (typ.) um ca. 45 % schneller ist als beim bisherigen TPH1400CQH von Toshiba, der die gleiche Spannung und den gleichen RDS_(ON) bietet. Der TPH1400CQ5 wird in Anwendungen mit Synchrongleichrichtung eingesetzt, wo er die Verlustleistung von Schaltnetzteilen verringert und zur Verbesserung des Wirkungsgrads beiträgt. Wird das Bauelement in einer Schaltung verwendet, die nicht im Sperrverzögerungsmodus arbeitet, dann entspricht die Verlustleistung derjenigen des TPH1400CQH.

Bei Einsatz in einer im Sperrverzögerungsmodus arbeitenden Schaltung reduzieren die neuen Produkte die beim Schalten erzeugten Spannungsspitzen, was die EMI- Eigenschaften von Schaltungen verbessert und den Bedarf an externer Filterung verringert. Beide Bauelemente sind in einem vielseitigen, oberflächenmontierbaren SOP- Advance(N)-Gehäuse untergebracht, das nur 4,9 x 6,1 x 1,0 mm misst.

Zur Unterstützung von Entwicklern hat Toshiba ein G0-SPICE-Modell für die schnelle Verifizierung der Schaltungsfunktion sowie hochpräzise G2-SPICE-Modelle für die genaue Reproduktion der transienten Eigenschaften entwickelt.