Neues SSO10T TSC-Oberseitenkühlungsgehäuse für Leistungs-MOSFETs ermöglicht höchste Effizienz für moderne Automotive-Anwendungen

Die Infineon Technologies AG bringt das SSO10T TSC-Gehäuse mit OptiMOS™ MOSFET-Technologie auf den Markt.

Infineon stellt das SSO10T TSC-Gehäuse mit OptiMOS™-MOSFET-Technologie vor. Es bietet eine Oberseiten-Kühlung mit exzellenter thermischer Leistung und ermöglicht ein kompaktes doppelseitiges PCB-Design. Damit eignet es sich ideal für Leistungsanwendungen im Automobilbereich wie elektrische Servolenkung, Leistungsverteilung und DCDC-Wandler und reduziert den Kühlungsbedarf und die Systemkosten.

Mit seinem Konzept der direkten Oberseitenkühlung liefert das Gehäuse eine hervorragende thermische Leistung. Auf diese Weise wird eine Wärmeübertragung in oder durch die Leiterplatte des elektronischen Steuergeräts im Fahrzeug vermieden. Das Gehäuse ermöglicht ein einfaches und kompaktes doppelseitiges Leiterplattendesign und minimiert den Kühlungsbedarf sowie die Systemkosten für zukünftige Automotive Stromversorgungskonzepte. Der SSO10T TSC eignet sich daher ideal für Anwendungen wie elektrische Servolenkung (EPS), EMB, Energieverteilung, bürstenlose Gleichstromantriebe (BLDC), Sicherheitsschalter, Batterieumkehr und DCDC-Wandler.

Das SSO10T TSC hat eine Grundfläche von 5 x 7 mm² und basiert auf dem etablierten Industriestandard SSO8, einem 5 x 6 mm² großen robusten Gehäuse. Allerdings bietet das SSO10 TSC aufgrund der Oberseitenkühlung eine um mehr als 20 und bis 50 Prozent höhere Leistung als der Standard SSO8 – je nach verwendetem TIM-Material und TIM-Dicke. Das SSO10T TSC-Gehäuse ist JEDEC-gelistet und für eine breite Second-Source-Kompatibilität geeignet. Somit kann das Gehäuse schnell und einfach als zukünftiger Standard für die Top-Side-Kühlung eingeführt werden.

Das SSO10T-Gehäuse ermöglicht ein sehr kompaktes Leiterplattendesign und reduziert den Platzbedarf des Systems. Durch den Wegfall von Durchkontaktierungen werden auch die Kosten für das Kühlungsdesign gesenkt. Auf diese Weise werden sowohl die Gesamtsystemkosten als auch der Designaufwand reduziert. Gleichzeitig bietet das Gehäuse eine hohe Leistungsdichte sowie eine hohe Effizienz und unterstützt damit die Entwicklung von zukunftssicheren und nachhaltigen Fahrzeugen.

Verfügbarkeit
Die ersten 40-V-Automotive-MOSFET-Produkte mit SSO10T sind ab sofort verfügbar: IAUCN04S6N007T, IAUCN04S6N009T, IAUCN04S6N013T, IAUCN04S6N017T. Weitere Informationen sind erhältlich hier.

www.infineon.com

  Fordern Sie weitere Informationen an…