Toshiba stellt weitere -60 V-p-Kanal-MOSFETs vor

Neue Bausteine senken den Stromverbrauch in Automotive-Anwendungen.

Toshiba Electronics stellt zwei weitere -60 V-p-Kanal-MOSFETs vor, die auf dem eigenen U-MOS-VI-Prozess basieren. Damit erweitert das Unternehmen sein Angebot an Bauelementen, die sich für den Einsatz in Automotive-Anwendungen wie Lastschaltern, Halbleiterrelais und Motorantrieben eignen.

Die neuen MOSFETs XPH8R316MC und XPH13016MC sind bereits AEC-Q101-qualifiziert, was die Zuverlässigkeit im Automotive-Bereich bestätigt. Als Teil davon werden sie im SOP-Advance(WF)-Gehäuse ausgeliefert, einer SMD-Bauform mit Wettable-Flank-Anschlüssen. Dies erleichtert die automatische optische Inspektion (AOI) der Lötstellen, was entscheidend für Anwendungen in der rauen Fahrzeugumgebung ist. Ein weiterer Vorteil ist die Kupferverbindung innerhalb des Gehäuses, die den Gehäusewiderstand verringert, die Effizienz verbessert und die Wärmeentwicklung reduziert.

Der XPH8R316MC ist für einen kontinuierlichen Drainstrom (ID) von -90 A und der XPH13016MC für -60 A ausgelegt. Der gepulste Drainstrom (IDP) ist mit -180 A bzw. -120 A doppelt so hoch. Beide Bausteine sind für eine Drain-Source-Spannung (UDSS) von -60 V ausgelegt und können bei Kanaltemperaturen (Tch) von bis zu 175 °C betrieben werden.

Der maximale Durchlasswiderstand (RDS(ON)) des XPH8R316MC beträgt 8,3 mΩ und ist damit etwa 25 % niedriger als beim bisherigen TPCA8123 von Toshiba. Der XPH13016MC bietet hier einen Wert von 12,9 mΩ, der in etwa 49 % niedriger ist als beim TPCA8125. Diese stark reduzierten RDS(ON)-Werte verringern den Stromverbrauch in Automotive-Anwendungen erheblich.

www.toshiba.com

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