Toshiba stellt die 3rd Generation seiner Siliziumkarbid-/SiC-MOSFETs mit reduzierten Schaltverlusten vor

Neue Bausteine im 4-Pin-Gehäuse sorgen für verbesserte Schaltleistung von MOSFETs in industriellen Anwendungen.

Toshiba Electronics Europe GmbH stellt mit der Serie TWxxxZxxxC zehn neue SiC-MOSFETs vor, die Toshiba‘s Technologie der dritten Generation nutzen. Die Bausteine reduzieren die Verluste in einer Vielzahl von industriellen Anwendungen, darunter Schaltnetzteile für Server und Rechenzentren, Ladestationen für Elektrofahrzeuge, Solar-Wechselrichter und unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV).

Die Bausteine sind die ersten SiC-Produkte von Toshiba, die in einem TO-247-4L(X)-Gehäuse mit einem vierten Pin ausgeliefert werden. Dies ermöglicht eine Kelvin-Verbindung des Signal-Source-Anschlusses für die Gate-Ansteuerung, was die parasitäre Induktivität des internen Source-Anschlusses verringert und die Schaltleistung bei hohen Geschwindigkeiten verbessert. Ein Vergleich des TW045Z120C mit dem bestehenden TW045N120C (3-Pin TO-247) von Toshiba zeigt ca. 40 % geringere Einschaltverluste und 34 % geringere Ausschaltverluste.

Die neue Serie TWxxxZxxxC umfasst fünf Bausteine mit einer Drain-Source-Nennspannung (UDSS) von 650 V und weitere fünf Bausteine mit 1200 V für Anwendungen mit höheren Spannungen. Der Drain-Source-Durchlasswiderstand (RDS(ON)) liegt zwischen 140 und 15 mΩ. In Kombination mit niedrigen Gate-Drain-Ladungswerten (QGD) ergeben sich damit geringe Verluste selbst bei Anwendungen mit hohen Frequenzen.

Die neuen MOSFETs sind in der Lage, kontinuierliche Drain-Ströme (ID) von bis zu 100 A bereitzustellen.

Weitere Informationen: https://toshiba.semicon-storage.com/eu/semiconductor/product/mosfets/sic-mosfets.html

Die Auslieferung der neuen SiC-MOSFETs hat bereits begonnen.

Toshiba wird durch die Weiterentwicklung seines Angebots auch zukünftig zu mehr Effizienz und Leistungsdichte in industriellen Anwendungen beitragen.

www.global.toshiba.com

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