Toshiba stellt winzigen Common-Drain-n-Kanal-MOSFET vor

Toshiba Electronics Europe GmbH („Toshiba“) bietet nun einen 12 V-Common-Drain-n-Kanal-MOSFET mit einem Nennstrom von 20 A an. Dieser eignet sich für Batterieschutzschaltungen in Lithium-Ionen-/Li-Ion-Akkupacks, wie sie in Smartphones, Tablets, Powerbanks, kompakten Digitalkameras, digitalen Spiegelreflexkameras und anderen Anwendungen zum Einsatz kommen.

Die Sicherheit von Li-Ionen-Akkupacks lässt sich durch robuste Schutzschaltungen erhöhen, die die Wärmeentwicklung beim Laden und Entladen reduzieren. Um die erforderliche Ladeleistung zu erreichen, müssen diese Schaltungen einen niedrigen Stromverbrauch aufweisen. Aufgrund der kompakten Bauweise dieser Lösungen müssen entsprechende MOSFETs klein und flach sein und gleichzeitig einen niedrigen Durchlasswiderstand aufweisen.

Der neue 20 A-SSM14N956L ist für eine Source-to-Source-Spannung (USSS) von 12 V ausgelegt und nutzt den Mikroprozessor von Toshiba, ebenso wie der bereits vorgestellte 13,5 A-SSM10N954L. Dies sorgt für einen niedrigen Durchlasswiderstand RDS(ON) von nur 1 mΩ, was die Leitungsverluste begrenzt. Darüber hinaus ist ein niedriger Gate-Source-Leckstrom (IGSS) von ±1 µA (max.) gewährleistet, was einen geringen Standby-Stromverbrauch garantiert. Zusammen sorgen diese Eigenschaften für einen längeren Batteriebetrieb zwischen den Ladevorgängen.

Der SSM14N956L wird als Chip-Scale Gehäuse ausgeliefert, um in die begrenzten Platzverhältnisse dieser Anwendungen zu passen. Die Abmessungen des sogenannten TCSPED-302701-Gehäuses betragen 2,74 mm x 3 mm mit einer Bauhöhe von 0,085 mm.

Die Auslieferung des neuen Bausteins hat bereits begonnen, und Toshiba wird weiterhin MOSFETs für Schutzschaltungen in Geräten entwickeln, die mit Li-Ionen-Akkus betrieben werden.

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