Toshiba stellt neue 650 V SiC-Schottky-Barriere-Dioden mit einer Durchlassspannung von 1,2 V vor

Toshiba Electronics Europe GmbH („Toshiba“) stellt zwölf neue 650 V-Siliziumkarbid-/SiC-Schottky-Barriere-Dioden (SBDs) vor, die auf der neuesten Technologie der 3. Generation basieren. Sie sind für den Einsatz in effizienzkritischen Industrieanwendungen wie Schaltnetzteile, Ladestationen für Elektrofahrzeuge (EV) und Fotovoltaik-Wechselrichter vorgesehen.

Die neuen Dioden der Serie TRSxxx65H verwenden ein neues Schottky-Metall. Der SiCSBD-Chip der 3. Generation optimiert den Junction-Barrier-Schottky-/JBS-Aufbau der Dioden der 2. Generation. Damit verringert sich das elektrische Feld an der SchottkyGrenzfläche und der Leckstrom wird reduziert, was den Wirkungsgrad erhöht.

Die Dioden der 3. Generation erzielen eine niedrige Durchlassspannung (UF) von 1,2 V (typ.). Diese ist im Vergleich zu Produkten der 2. Generation um 17 % niedriger. Die neuen Dioden verbessern damit den Kompromiss zwischen UF und kapazitiver Gesamtladung (QC), die beim TRS6E65H typischerweise 17 nC beträgt.

Auch das Verhältnis zwischen UF und Sperrstrom (IR) wurde im Vergleich zu Produkten der 2. Generation verbessert, wobei die TRS6E65H einen typischen IR von 1,1 µA erreicht. All diese Verbesserungen reduzieren die Leistungs Verlustle und sorgen für effizientere Endgeräte.

Die SBDs der Serie TRSxxx65H unterstützen einen DC-Durchlassstrom IF(DC) bis 12 A und einmalige Rechteck-Spitzenströme IFSM bis 640 A. Sieben der neuen Dioden werden in TO-220-2L-Gehäusen ausgeliefert, während die übrigen fünf in kompakten und flachen DFN8×8-SMD-Gehäusen zur Verfügung stehen.

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