DENSO entwickelt Inverter mit SiC-Leistungshalbleitern

DENSO Aftermarket ist stolz darauf, sein technisches Wissen und seine Erfahrung weiterzugeben. Bitte beachten Sie jedoch, dass es sich bei der in diesem Artikel erwähnten Technologie um Erstausrüstungstechnologie handelt, die noch nicht im Aftermarket-Sortiment erhältlich ist.

SiC-Leistungshalbleiter, die aus Silizium und Kohlenstoff bestehen, reduzieren die Verlustleistung im Vergleich zu Silizium (Si)-Leistungshalbleitern erheblich. In einem Fahrtest, der unter bestimmten Bedingungen von einem BEV mit einem SiC-Halbleiter-Inverter durchgeführt wurde, wurde eine Verringerung der Verlustleistung um mehr als 50 % im Vergleich zu einem BEV mit einem Inverter mit einem herkömmlichen Si-Halbleiter nachgewiesen. Durch den Einsatz eines SiC-Halbleiter-Inverters wird die Energieeffizienz des BEV verbessert und die Reichweite erhöht.




Schlüsselelemente der neuen Inverter-Entwicklung
SiC-Leistungshalbleiter mit DENSOs einzigartiger Trench-Typ Metall-Oxid-Halbleiter (MOS)-Struktur verbessern die Leistung pro Chip, da sie den durch die erzeugte Wärme verursachten Leistungsverlust reduzieren. Die einzigartige Struktur erreichte eine hohe Spannung und einen niedrigen On-Widerstand.

Schlüsselelemente der neuen Inverter-Herstellung
Auf der Grundlage der von DENSO und Toyota Central R&D Labs, Inc. gemeinsam entwickelten hochwertigen Technologie verwendet DENSO SiC-Epitaxie-Wafer, in die die Ergebnisse der von der New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO) in Auftrag gegebenen Arbeiten einfließen. Dadurch konnte DENSO die Anzahl der Kristalldefekte halbieren, die den normalen Betrieb des Geräts aufgrund der Unordnung der atomaren Anordnung des Kristalls verhindern. Durch die Reduzierung der Kristalldefekte werden die Qualität und die stabile Produktion von SiC-Leistungshalbleiterbauelementen, die in Fahrzeugen eingesetzt werden, sichergestellt.

www.denso-am.eu