Nexperia bringt e-mode GaN-FETs für Nieder- und Hochspannungsanwendungen auf den Markt

Branchenweit bislang einziger Anbieter, der sowohl Kaskoden- als auch E-Mode-GaN-FETs im Portfolio hat.

Nexperia, Experte für essentielle Halbleiter, stellt heute seine ersten Power-GaN-FETs in E-Mode-Konfiguration (Enhancement Mode) für Nieder- (100/150 V) und Hochspannungsanwendungen (650 V) vor. Durch die Erweiterung des bestehenden Kaskoden-Angebots um sieben neue E-Mode-Bauelemente bietet Nexperia Entwicklern neben dem umfangreichen Portfolio an siliziumbasierten Leistungselektronik-Bauelementen nun auch die optimale Auswahl an GaN FETs aus einer Hand.

Das neue Portfolio von Nexperia umfasst fünf 650V E-Mode GaN FETs (mit RDS(on)-Werten zwischen 80mΩ und 190mΩ) in einer Auswahl von DFN-Gehäusen mit 5x6 mm und DFN mit 8x8 mm. Sie optimieren die Effizienz der Leistungsumwandlung in Hochvolt- und Niederspannungsanwendungen (<650 V) in den Bereichen Datenübertragung/Telekommunikation, Ladegeräte für Consumer Anwendungen, Solaranlagen und Industrie. Sie können auch für die Entwicklung von Antrieben von Gleichstrom- und Servomotoren für Präzision mit höherem Drehmoment und mehr Leistung verwendet werden.

Außerdem bietet Nexperia jetzt einen 100-V-GaN-FET (3,2 mΩ) in einem WLCSP8-Gehäuse und einen 150-V-Baustein (7 mΩ) in einem FCLGA-Gehäuse an. Diese Bauelemente eignen sich für verschiedene Niederspannungsanwendungen (<150 V) mit hoher Leistung, z. B. für effizientere DC-DC-Wandler in Rechenzentren, schnelleres Aufladen (E-Mobilität und USB-C), kleinere LiDAR-Transceiver, rauschärmere Audioverstärker der Klasse D und Geräte mit höherer Leistungsdichte, wie Mobiltelefone, Laptops und Spielkonsolen.

GaN-basierte Bauelemente bieten die schnellste Schaltfähigkeit (höchste dv/dt und di/dt) und liefern einen überragenden Wirkungsgrad bei Anwendungen mit geringer und hoher Leistung. Die hervorragende Schaltleistung der E-Mode GaN FETs von Nexperia ist auf sehr niedrige Qg- und QOSS-Werte zurückzuführen, während ihr niedriger RDS(on) leistungseffizientere Designs ermöglicht. Deshalb ermöglichen GaN-FETs in vielen leistungselektronischen Anwendungen die kompakteste Baugröße, wodurch die Stückliste erheblich reduziert wird. Infolgedessen halten GaN-Bauelemente zunehmend Einzug in die Mainstream-Märkte der Leistungselektronik, einschließlich Serveranwendungen, Industrieautomatisierung, Verbraucher- und Telekommunikationsinfrastruktur.

Mit dieser neuen Version bietet Nexperia nun ein breites Angebot an GaN-FET-Produkten für eine Vielzahl von Leistungsanwendungen, die für diese Technologie am besten geeignet sind. Dazu gehören Kaskoden-Bauelemente für Hochspannungs- und Hochleistungsanwendungen, 650-V-E-Mode-Bauelemente für Hochspannungs- und Niedrigleistungsanwendungen sowie 100/150-V-E-Mode-Bauelemente für Niederspannungs- und Hochleistungsanwendungen. Darüber hinaus werden die E-mode GaN FETs von Nexperia auf einer 8-Zoll-Wafer-Linie gefertigt, um die Kapazität zu erhöhen, und sind für industrielle Anwendungen nach JEDEC-Standard qualifiziert. Die Erweiterung des Angebots an GaN-Bauelementen ist ein Beleg für Nexperias Engagement für hochwertige Silizium- und Wide-Bandgap-Technologien.

Weitere Informationen über die neuen 100 V, 150 V und 650 V E-mode GaN FETs von Nexperia finden Sie unter: https://www.nexperia.com/products/gan-fets

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