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Infineon erweitert Lieferantenbasis für Siliziumkarbid; neuer Liefervertrag mit SICC über Wafer und Boules

Die Infineon Technologies AG hat einen Vertrag mit dem chinesischen Siliziumkarbid (SiC)-Lieferanten SICC unterzeichnet, um die SiC-Lieferantenbasis des Unternehmens zu diversifizieren und zusätzliche wichtige SiC-Quellen zu sichern.

Infineon erweitert Lieferantenbasis für Siliziumkarbid; neuer Liefervertrag mit SICC über Wafer und Boules
Angelique van der Burg, Chief Procurement Officer bei Infineon.

Im Rahmen der Vereinbarung wird SICC den deutschen Halbleiterhersteller mit wettbewerbsfähigen und qualitativ hochwertigen 150-Millimeter-Wafern und -Boules für die Herstellung von SiC-Halbleitern beliefern und damit langfristig einen zweistelligen prozentualen Anteil der prognostizierten Nachfrage decken.

Die Vereinbarung konzentriert sich in der ersten Phase auf 150-Millimeter-SiC Material, und in einer zweiten Phase wird SICC auch Infineons Umstellung auf 200 Millimeter-Wafer unterstützen. Dies wird allgemein zur Stabilität der Lieferkette beitragen, insbesondere im Hinblick auf die steigende Nachfrage nach SiC-Halbleiterprodukten für Automobil- und Solaranwendungen, Ladeanwendungen für Elektrofahrzeuge sowie für Energiespeichersysteme auf dem chinesischen Markt. Sie wird auch das schnelle Wachstum des innovativen Halbleitermaterials SiC unterstützen.

„Infineon baut seine Fertigungskapazitäten an den Standorten in Malaysia und Österreich deutlich aus, um die steigende Nachfrage nach SiC zu decken. Um unseren Kunden eine möglichst umfangreiche Produktpalette anbieten zu können, verdoppelt Infineon derzeit die Investitionen in SiC-Technologie und das SiC-Produktportfolio. In diesem Zusammenhang verfolgen wir eine Beschaffungsstrategie mit mehreren Lieferanten und mehreren Ländern, um die Resilienz zum Nutzen unserer breiten Kundenbasis zu erhöhen“, so Angelique van der Burg, Chief Procurement Officer bei Infineon.


Infineon erweitert Lieferantenbasis für Siliziumkarbid; neuer Liefervertrag mit SICC über Wafer und Boules
Zong Yanmin, CEO von SICC.

„Substraten von SICC sind im Power-SiC-Bereich weit verbreitet. Wir freuen uns, mit Infineon, einem weltweit führenden Anbieter von Leistungshalbleitern, als unserem Kunden zusammenzuarbeiten. SICC wird seine Kapazitäten kontinuierlich ausbauen, um für seine Kunden weltweit einen höheren Mehrwert zu schaffen. Wir schätzen Infineon als exzellenten, führenden strategischen Kunden und freuen uns darauf, gemeinsam die Entwicklung der SiC-Industrie voranzutreiben und die globale Digitalisierung, Dekarbonisierung und nachhaltige Entwicklung zu fördern“, so Zong Yanmin, CEO von SICC.

Infineon baut derzeit seine Fertigungskapazitäten für SiC aus, um das Ziel eines weltweiten Marktanteils von 30 Prozent bis zum Ende des Jahrzehnts zu erreichen. Die SiC-Fertigungskapazitäten von Infineon werden sich bis 2027 verzehnfachen. Ein neues Werk in Kulim, Malaysia, soll 2024 die Produktion aufnehmen und die Fertigungskapazitäten von Infineon in Villach, Österreich, ergänzen. Bereits heute beliefert Infineon weltweit mehr als 3.600 Kunden aus dem Automobil- und Industriebereich mit SiC-Halbleitern.

www.infineon.com
 

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