Neue, extrem platzsparende ASFETs von Nexperia sind für Hot-Swap und Soft-Start optimiert

Niedriger RDS(on), erhöhte Leistungsdichte und verbesserter SOA eröffnen zusätzliche Anwendungsbereiche.

Nexperia, der Experte für essentielle Halbleiter, gab heute die Markteinführung seiner ersten anwendungsspezifischen 80-V- und 100-V-MOSFETs (ASFETs) mit verbessertem sicherem Betriebsbereich (safe operating area, SOA) bekannt. Untergebracht in einem kompakten 8x8 mm LFPAK88-Kupfer-Clip-Gehäuse haben sie einen 60 % geringeren Platzbedarf im Vergleich zu bisherigen Lösungen. Diese neuen ASFETs sind vollständig für anspruchsvolle Hot-Swap- und Soft-Start-Anwendungen optimiert und bis 175 °C für den Einsatz in modernen Telekommunikations- und Computeranlagen qualifiziert.

Die führende Ergänzung des Portfolios ist der N-Kanal-ASFET PSMN2R3-100SSE (100 V; 2,3 mΩ). Mit niedrigem RDS(on) sowie starker Linear-Performance (sicherer Betriebsbereich) bei einer kompakten Grundfläche von 8x8 mm ist er auf die auf die Anforderungen anspruchsvoller Hot-Swap-Anwendungen zugeschnitten. Mit dem PSMN1R9-100SSE (1,9 mΩ) kommt außerdem ein 80-V-ASFET auf den Markt. Dieser kommt den wachsenden Trends zur Verwendung von 48-V-Stromschienen in Computerservern und anderen industriellen Anwendungen entgegen, bei denen die Umgebungsbedingungen MOSFETs mit einem niedrigeren BVDS-Wert zulassen.

ASFETs mit verbessertem SOA erfreuen sich bei Hot-Swap- und Soft-Start-Anwendungen zunehmender Beliebtheit. Ihre starke Performance im Linearbetrieb ist entscheidend für eine effektive und zuverlässiges Management des Einschaltstroms, wenn kapazitive Lasten in die stromführende Backplane eingeführt werden. Zudem ist ein niedriger RDS(on) erforderlich, um die

I2R-Verluste zu minimieren, wenn der ASFET vollständig eingeschaltet ist. Trotz des niedrigeren RDS(on) und der kompakten Gehäusegröße erreicht die dritte verbesserte SOA-Technologiegeneration von Nexperia eine SOA-Verbesserung von 10 % im Vergleich zu früheren Generationen in D2PAK-Gehäusen (33 A gegenüber 30 A @ 50 V @ 1 ms).

Außerdem haben die neuen ASFETs für den Hot-Swap-Betrieb sowohl bei 25 °C als auch bei 125 °C einen vollständig charakterisierten sicheren Arbeitsbereich. Voll getestete Hot-SOA-Kurven sind in den Datenblättern enthalten, so dass Entwicklungsingenieure keine Berechnungen zum thermischen De-Rating mehr durchführen müssen und die nutzbare Hot-SOA-Performance erheblich erweitert wird.

Bisher waren ASFETs für Hot-Swap- und Computing-Anwendungen auf die wesentlich größeren D2PAK-Gehäuse (16x10 mm) beschränkt. LFPAK88-Gehäuse sind der ideale Ersatz für D2PAK und bieten bis zu 60 % Platzersparnis. Der PSMN2R3-100SSE zeichnet sich durch einen RDS(on) von nur 2,3 mΩ aus, so verbraucht er 40 % weniger Strom gegenüber den derzeit erhältlichen Bauteilen. Dies führt nicht nur zu einer branchenführenden Verbesserung der Leistungsdichte um das 58-fache, der LFPAK88 bietet zudem einen doppelt so hohen Nennstrom ID(max) sowie extrem niedrigen thermischen und elektrischen Widerstand. Diese Version kombiniert die besten Eigenschaften der fortschrittlichen Silizium- und Kupfer-Clip-Gehäusetechnologien von Nexperia: eine kleinere Grundfläche, niedrigerer RDS(on) und verbesserte SOA-Leistung.

Nexperia bietet außerdem 25-V-, 30-V-, 80-V- und 100-V-ASFETs in einem 5x6-mm-LFPAK56E-Gehäuse an. Optimiert für Anwendungen mit geringerer Leistung, bei denen eine kleinere Leiterplattenfläche erforderlich ist.

Weitere Einzelheiten zu diesen neuen ASFETs finden Sie unter: nexperia/com/asfets-for-hotswap-and-soft-start

www.nexperia.com

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