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ROHM ENTWICKELT ULTRASCHNELLE STEUER-IC-TECHNOLOGIE ZUR LEISTUNGSMAXIMIERUNG VON GAN-BAUELEMENTEN

Kombination von GaN-Bauelementen und Steuer-ICs ermöglicht größere Energieeinsparungen und Miniaturisierung bei Stromversorgungsanwendungen.

ROHM ENTWICKELT ULTRASCHNELLE STEUER-IC-TECHNOLOGIE ZUR LEISTUNGSMAXIMIERUNG VON GAN-BAUELEMENTEN

Die ultra-schnelle Steuer-IC-Technologie von ROHM maximiert die Leistung von GaN-Halbleitern und anderen Bauelementen mit hohen Schaltfrequenzen.

Während der Einsatz von GaN-Bauelementen in den letzten Jahren aufgrund ihrer überragenden Hochgeschwindigkeits-Schaltcharakteristik zugenommen hat, ist die Geschwindigkeit der Steuer-ICs für die Ansteuerung dieser Bauelemente zu einer Herausforderung geworden.

Als Reaktion darauf hat ROHM seine ultraschnelle Pulsregelungs-Technologie „Nano Pulse Control™“ weiterentwickelt. Sie wurde für Stromversorgungs-ICs konzipiert und senkt die Regelungsbreite von den herkömmlichen 9 ns auf den branchenweit besten Wert* von 2 ns. Durch die Nutzung dieser Technologie konnte ROHM eine ultra-schnelle Steuer-IC-Technologie zur Leistungsmaximierung von GaN-Bauelementen realisieren.

Für die Miniaturisierung einer Stromversorgungsschaltung ist es notwendig, die Größe der Peripheriekomponenten durch hohe Schaltfrequenzen zu reduzieren. Dies erfordert einen Steuer-IC, der die Vorteile der Treibereigenschaften von Bauelementen mit hohen Schaltfrequenzen wie GaN-Halbleitern nutzen kann.

Um Lösungen anbieten zu können, die auch Peripheriekomponenten einschließen, hat ROHM eine ultra-schnelle Steuer-IC-Technologie entwickelt, die für GaN-Bauelemente optimiert ist und die die proprietäre analoge Stromversorgungs-Technologie Nano Pulse Control™ nutzt.

ROHM arbeitet derzeit an der Kommerzialisierung von Steuer-ICs mit dieser Technologie. Das Unternehmen plant, in der zweiten Hälfte des Jahres 2023 Muster eines einkanaligen 100-V-DC/DC-Steuer-ICs auszuliefern. Der Einsatz dieses ICs in Verbindung mit ROHMs GaN-Bauelementen (EcoGaN™-Serie) soll zu erheblichen Energieeinsparungen und zur Miniaturisierung in einer Vielzahl von Anwendungen führen, darunter Basisstationen, Rechenzentren, Fabrikautomatisierung und Drohnen.

ROHM wird auch in Zukunft Produkte entwickeln, die die Benutzerfreundlichkeit von Anwendungen verbessern und damit der Gesellschaft zugutekommen. Dabei konzentriert sich das Unternehmen auf seine Stärken in der Analogtechnik.


ROHM ENTWICKELT ULTRASCHNELLE STEUER-IC-TECHNOLOGIE ZUR LEISTUNGSMAXIMIERUNG VON GAN-BAUELEMENTEN

ROHMs neue Steuer-IC-Technologie
Die neue Steuer-IC-Technologie basiert auf Nano Pulse Control™. Sie wurde durch die Kombination fortschrittlicher analoger Expertise in den Bereichen Schaltungsdesign, Prozesse und Layout unter Verwendung des vertikal integrierten Produktionssystems von ROHM realisiert. Durch eine einzigartige Schaltungskonfiguration wird die minimale Regelbreite des Steuer-ICs von hervorragenden 9 ns weiter auf 2 ns reduziert. Dadurch können in 24- und 48-V-Anwendungen mit nur einem Stromversorgungs-IC hohe Spannungen von bis zu 60 V auf niedrige Spannungen von bis zu 0,6 V heruntergeregelt werden. Darüber hinaus wird durch die Unterstützung kleinerer Peripheriekomponenten für den Hochfrequenzbetrieb von GaN-Bauelementen der Platzbedarf im Vergleich zu konventionellen Lösungen um ca. 86 % reduziert, wenn diese mit einer EcoGaN™-Stromversorgungsschaltung kombiniert werden.


ROHM ENTWICKELT ULTRASCHNELLE STEUER-IC-TECHNOLOGIE ZUR LEISTUNGSMAXIMIERUNG VON GAN-BAUELEMENTEN

Nano Pulse Control™
ROHMs ultraschnelle Pulsregelungs-Technologie für Stromversorgungs-ICs, mit der eine Einschaltzeit (Regelungsbreite des Stromversorgungs-ICs) im Nanosekundenbereich (ns) erreicht wird. Dadurch ist es möglich, mit nur einem IC hohe Spannungen in niedrige Spannungen umzuwandeln. Konventionelle Lösungen benötigen dagegen zwei oder mehr Stromversorgungs-ICs. Weitere Informationen über die Nano Pulse Control™-Technologie gibt es unter folgendem Link: https://www.rohm.com/support/nano

EcoGaN™
EcoGaNTM bezieht sich auf ROHMs neue Produktreihe von GaN-Bauelementen, die den niedrigen Einschaltwiderstand weiter verringern und die Hochgeschwindigkeits-Schaltcharakteristik von GaN maximieren. Auf diese Weise tragen sie zur Energieeinsparung und Miniaturisierung bei. Das Ziel ist es, den Stromverbrauch einer Anwendung zu senken, Peripheriekomponenten zu miniaturisieren und den Designaufwand sowie die Anzahl der benötigten Teile zu reduzieren.

www.rohm.com

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