TOSHIBA STELLT SEINE DRITTE GENERATION VON 650V SIC-MOSFETS VOR

Die hocheffizienten und vielseitig einsetzbaren Bauelemente eignen sich hervorragend für zahlreiche anspruchsvolle Anwendungen wie Schaltnetzteile (SMPS) und unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV) für Server, Rechenzentren und Kommunikationssysteme. Sie finden sich auch im Bereich erneuerbarer Energien wie Photovoltaik (PV) Wechselrichter und bidirektionale DC/DC-Wandler, wie sie zum Aufladen von Elektrofahrzeugen (EV) verwendet werden.

Die neuen TW015N65C, TW027N65C, TW048N65C, TW083N65C und TW107N65C basieren auf Toshiba‘s fortschrittlichem SiC-Prozess der dritten Generation, bei dem die Zellstrukturen der Bausteine der zweiten Generation optimiert wurden.

Hierdurch gelang es, das Produkt aus Drain-Source Widerstand (RDS(on)) und Gate-Drain Ladung (Qg), das sowohl statische als auch dynamische Verluste widerspiegelt, um etwa 80% zu verbessern. Damit verringern sich die Verluste erheblich und die Entwicklung von Leistungselektronik mit höherer Leistungsdichte und niedrigeren Betriebskosten wird möglich.

Wie frühere Generationen enthalten auch die neuen MOSFETs der dritten Generation eine integrierte SiC-Schottky-Barrier-Diode mit einer niedrigen Durchlassspannung (UF) von -1,35V (typ.), die Schwankungen des RDS(on) unterdrückt und so die Zuverlässigkeit erhöht.

Die neuen Bausteine können je nach Baustein Ströme (ID) von bis zu 100A verarbeiten und weisen RDS(on) Werte von nur 15mΩ auf. Sie werden ab sofort im TO-247- Standardgehäuse ausgeliefert.

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