Der neue HYPERRAM-Speicherchip von Infineon verdoppelt die Bandbreite für Hochleistungslösungen mit geringer Pin-Anzahl

Die Infineon Technologies AG hat das Portfolio an Speicherlösungen mit hoher Bandbreite und geringer Pin-Anzahl um den HYPERRAM 3.0 erweitert. Der Speicherchip verfügt über eine neue, erweiterte 16-Bit-Version der HyperBus-Schnittstelle, die die Datenübertragung auf 800 MBit/s verdoppelt.

Der HYPERRAM™ 3.0 von Infineon verfügt über eine neue, erweiterte 16-Bit-Version der HyperBus™-Schnittstelle, die die Datenübertragung auf 800 MBit/s verdoppelt. Der höhere Datendurchsatz pro Pin des Speicherchips ermöglicht die Verwendung von Mikrocontrollern (MCUs) mit weniger Pins und von Leiterplatten mit weniger Lagen. Dies eröffnet Möglichkeiten für weniger komplexe und damit kostenoptimierte Designs, was für die Zielanwendungen von Vorteil ist.

Mit HYPERRAM 3.0 bietet Infineon ein Portfolio an Speicherlösungen mit hoher Bandbreite, geringer Pin-Anzahl und niedrigem Energiebedarf. Der Speicherchip eignet sich perfekt für Anwendungen, die einen RAM-Erweiterungsspeicher benötigen, darunter Videopufferung, Fabrikautomatisierung, Artificial Intelligence of Things (AIoT) und Vehicle-to-Everything (V2X) im Automobilbereich sowie für Anwendungen, die einen Scratch-Pad-Speicher für intensive mathematische Berechnungen benötigen.

„Mit fast drei Jahrzehnten Erfahrung im Bereich der Speicherlösungen freuen wir uns, eine weitere Branchenneuheit auf den Markt zu bringen. Die neuen HYPERRAM 3.0-Speicherlösungen erreichen eine weitaus höhere Datenübertragungsrate pro Pin als derzeit auf dem Markt erhältliche Technologien wie PSRAMs und SDR-DRAMs“, sagt Ramesh Chettuvetty, Senior Director of Applications and Marketing in der Automotive Division von Infineon. „Unsere Low-Power-Funktionen ermöglichen eine höhere Energieeffizienz ohne Einbußen bei der Datenübertragung. Dadurch ist der Speicher ideal auch für industrielle und IoT-Lösungen geeignet.“

HYPERRAM von Infineon ist ein eigenständiger flüchtiger Speicher auf PSRAM-Basis, der eine einfache und kostenoptimierte Möglichkeit zur Speichererweiterung bietet. Die Datenraten entsprechen denen von SDR-DRAM, allerdings bei deutlich geringerer Pin-Anzahl und niedrigerem Strombedarf. Der höhere Datendurchsatz pro Pin der HyperBus-Schnittstelle ermöglicht die Verwendung von Mikrocontrollern (MCUs) mit weniger Pins und von Leiterplatten mit weniger Lagen. Dies eröffnet Möglichkeiten für weniger komplexe und damit kostenoptimierte Designs, was für die Zielanwendungen von Vorteil ist.

Über HYPERRAM
Infineon hat die erste Generation der HYPERRAM-Speicher, die die HyperBus-Schnittstelle unterstützen, 2017 eingeführt. Die zweite Generation der HYPERRAM-Speicher wurde 2021 eingeführt und unterstützt sowohl die Octal-xSPI- als auch die JEDEC-konforme HyperBus-Schnittstelle mit Datenraten von bis zu 400 MBit/s. Die dritte Generation der Speicherchips unterstützt die neue erweiterte HyperBus-Schnittstelle, die Datenübertragungsraten von 800 MB/s ermöglicht. Die HYPERRAM-Speicher haben eine Speicherdichte von 64 Mb bis 512 Mb. Sie sind AEC-Q100-qualifiziert und unterstützen Industrie- und Automobiltemperaturen von bis zu 125°C.

Verfügbarkeit
HYPERRAM 3.0-Produkte können ab sofort in einem BGA-49-Gehäuse bestellt werden. Weitere Informationen sind erhältlich unter www.infineon.com/HYPERRAM.

www.infineon.com

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