Onsemi stellt den branchenweit ersten 650V-SiC-MOSFET im TOLL-Gehäuse vor

Neuer Baustein mit 60% kleinerem Gehäuse, mehr Leistungsfähigkeit und weniger Verlusten. Mit einer Grundfläche von nur 9,9 mm x 11,7 mm bietet das TOLL-Gehäuse gegenüber einem D2PAK an die 30% weniger Platzbedarf auf der Leiterplatte – und bei einer Bauhöhe von nur 2,3 mm nimmt es 60% weniger Volumen ein als ein D2PAK-Gehäuse.

Onsemi (Nasdaq: ON), ein führender Anbieter intelligenter Leistungselektronik und Sensorik, stellt auf der PCIM Europe den branchenweit ersten Siliziumkarbid-/SiC-MOSFET im TO-Leadless-/TOLL-Gehäuse vor. Der Transistor adressiert den wachsenden Bedarf an hochleistungsfähigen Schaltern, die für Designs mit hoher Leistungsdichte vorgesehen sind. Bis vor kurzem wurden SiC-Bauelemente in 7-poligen D2PAK-Gehäusen ausgeliefert, die deutlich mehr Platz benötigten.

Zusätzlich zu seiner kleineren Größe bietet das TOLL-Gehäuse ein besseres Wärmeverhalten und eine geringere Gehäuse-Induktivität (2 nH) als ein 7-Pin-D2PAK. Seine Kelvin-Source-Konfiguration sorgt für geringeres Gate-Rauschen und niedrigere Schaltverluste – einschließlich 60% weniger Einschaltverluste (EON) im Vergleich zu einem Bauelement ohne Kelvin-Konfiguration. Damit wird auch bei anspruchsvollen Leistungselektronikdesigns eine deutlich höhere Effizienz und Leistungsdichte sichergestellt, genauso wie eine verbesserte EMI und einfacheres PCB-Design.

„Die Fähigkeit, hochzuverlässige Stromversorgung auf kleinem Raum bereitzustellen, wird in vielen Bereichen zu einem Wettbewerbsvorteil, einschließlich industrieller Hochleistungsstromversorgungen und Serveranwendungen“, so Asif Jakwani, Senior Vice President und General Manager der Advanced Power Division bei onsemi. „Das Einbinden unserer SiC-MOSFETs in TOLL-Gehäuse reduziert nicht nur den Platzbedarf, sondern verbessert auch die Leistungsfähigkeit in vielen Bereichen wie EMI und reduziert die Verluste. Das Ergebnis ist ein äußerst zuverlässiger und robuster Hochleistungsschalter, der Leistungselektronik-Entwicklern hilft, die strengen Anforderungen beim Power-Design zu erfüllen.“

SiC-Bauelemente bieten gegenüber ihren Silizium-Vorgängern erhebliche Vorteile, darunter einen höheren Wirkungsgrad bei hohen Frequenzen, geringere EMI, Betrieb bei höheren Temperaturen und mehr Zuverlässigkeit. onsemi ist der einzige Anbieter von SiC-Bauelementen mit vertikaler Integrationsfähigkeit, einschließlich SiC-Boule-Wachstum, Substrat, Epitaxie, Chip-Fertigung, integrierten Modulen und diskreten Gehäuselösungen.

Der erste SiC-MOSFET im TOLL-Gehäuse ist der NTBL045N065SC1, der für anspruchsvolle Anwendungen wie Schaltnetzteile (SMPS), Server- und Telekommunikations-Netzteile, Solarwechselrichter, unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV) und Energiespeicher vorgesehen ist. Der Baustein eignet sich für Designs, die hohe Effizienzstandards wie ErP und 80 PLUS Titanium erfüllen müssen.

Der NTBL045N065SC1 hat eine UDSS-Spannung von 650 V mit einem typischen RDS(on) von nur 33 mΩ und einem maximalen Drain-Strom (ID) von 73 A. Basierend auf der Wide-Bandgap-/WBG-SiC-Technologie bietet der Baustein eine maximale Betriebstemperatur von 175 °C und eine extrem niedrige Gate-Ladung (QG(tot) = 105 nC), die die Schaltverluste erheblich reduziert. Darüber hinaus ist das TOLL-Gehäuse als MSL 1 (Moisture Sensitivity Level; Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe 1) eingestuft, was sicherstellt, dass die Ausfallraten in der Serienfertigung reduziert werden.

Darüber hinaus bietet onsemi Automotive-konforme Bausteine in 3- und 4-poligen TO-247-Gehäusen sowie 7-poligen D2PAK-Gehäusen an.

www.onsemi.com

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