ROHM und Delta Electronics schließen strategische Partnerschaft für die Entwicklung von Bauelementen für Stromversorgungssysteme

Die Partnerschaft beschleunigt die Entwicklung von technologischen Innovationen bei Stromversorgungssystemen mit GaN-Bauelementen. Der weltweit tätige Halbleiterhersteller ROHM und Delta Electronics, ein weltweit führender Hersteller von Stromversorgungen, sind eine strategische Partnerschaft eingegangen, um GaN- (Galliumnitrid) Bauelemente der nächsten Generation zu entwickeln und in Serie zu produzieren.

Mit der Kombination von Deltas langjähriger Entwicklungstechnologie für Stromversorgungsbauelemente und ROHMs markterprobter Erfahrung in der Entwicklung und Herstellung von Leistungshalbleitern wird es möglich sein, GaN-Bauelemente mit einer Durchbruchspannung von 600 V zu entwickeln, die für ein breites Spektrum an Stromversorgungssystemen optimiert sind.

ROHM hat bereits im März 2022 ein Massenproduktionssystem für 150-V-GaN-HEMTs mit einer branchenführenden 8-V-Gate-Durchbruchspannung eingeführt. Damit kann ROHM seine neue EcoGaN™-Produktreihe für Stromkreise in IoT-Kommunikations- und Industrieanlagen, beispielsweise Basisstationen und Rechenzentren, erweitern und gleichzeitig die Leistung der Geräte weiter verbessern.

Kazuhide Ino, Managing Executive Officer, CSO, ROHM Co., Ltd.
„ROHM ist sehr erfreut, eine strategische Partnerschaft für GaN-Bauelemente mit Delta, einem weltweit führenden Unternehmen im Bereich Energie- und Wärmemanagement, einzugehen. Leistungshalbleiter – ein entscheidender Fokusbereich für ROHM – spielen eine immer wichtigere Rolle bei der Verwirklichung einer emissionsfreien Gesellschaft. Aus diesem Grund wird ROHM auch weiterhin fortschrittliche Bauelemente für zahlreiche Bereiche entwickeln, bei denen Si, SiC und GaN zum Einsatz kommen, sowie Lösungen, bei denen Peripheriekomponenten wie Steuer-ICs kombiniert werden, um deren Leistung zu maximieren.

Durch diese Partnerschaft wird ROHM GaN-Bauelemente in Serie produzieren, die zur Konfiguration effizienterer Stromversorgungssysteme beitragen können. Darüber hinaus wird ROHM GaN-IPMs entwickeln, die analoge ICs (eine der Stärken von ROHM) frühzeitig integrieren und so das Angebot an bedienungsfreundlichen Produkten weiter ausbauen.“

Mark Ko, Vice Chairman, Delta Electronics, Inc.
„Die Entwicklung von GaN-Bauelementen ist für die weltweite Elektronikindustrie von großem Interesse. Wir arbeiten seit vielen Jahren mit ROHM zusammen und freuen uns sehr, dass der diesjährige technische Austausch endlich zu Ergebnissen führen wird, was für beide Unternehmen ein Meilenstein ist und uns näher zusammenbringen wird.

Neben dieser GaN-Kooperation will Delta sein Produktangebot weiter verstärken und setzt dabei große Erwartungen in die Produktentwicklung unter Nutzung der Kompetenzen von ROHM im Bereich der analogen (Nano-) und anderer Technologien. Wir sind davon überzeugt, dass eine verstärkte Zusammenarbeit mit ROHM es uns ermöglichen wird, ein breites Sortiment an Lösungen anzubieten, die den Anforderungen des globalen Stromversorgungsmarktes entsprechen.“

Die Verbesserung des Wirkungsgrads von Motoren und Stromversorgungen, auf die der größte Teil des weltweiten Stromverbrauchs entfällt, ist zu einem bedeutenden Faktor auf dem Weg zu einer emissionsfreien Gesellschaft geworden. Der Schlüssel hierzu liegt in den Stromversorgungen. Daher wird erwartet, dass die Einführung neuer Materialien wie SiC und GaN deren Effizienz weiter erhöhen wird.

ROHM und Delta pflegen seit vielen Jahren einen technologischen Austausch und eine kooperative Beziehung bei der Entwicklung unterschiedlicher Applikationen. Im Rahmen dieser Partnerschaft werden beide Unternehmen die branchenweit fortschrittlichsten GaN-Bauelemente entwickeln und in Serie produzieren. Diese Bauelemente werden die GaN-Leistung maximieren, um die Innovation in der Energietechnik zu beschleunigen und einen Beitrag zur Verwirklichung einer nachhaltigen Gesellschaft zu leisten.

Was bedeutet EcoGaN™?
EcoGaN™ ist ROHMs neue Produktreihe an GaN-Bauelementen, die den niedrigen Einschaltwiderstand und die Hochgeschwindigkeits-Schaltcharakteristik von GaN maximieren und damit zur Energieeinsparung und Miniaturisierung beitragen. Das Ziel ist es, den Stromverbrauch der Anwendung zu reduzieren, Peripheriekomponenten zu miniaturisieren und den Designaufwand sowie die Anzahl der benötigten Teile zu verringern.

*EcoGaN™ ist ein Warenzeichen oder eingetragenes Warenzeichen von ROHM Co., Ltd.

www.rohm.com

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