TOSHIBA ERWEITERT SEIN ANGEBOT VON SUPER-JUNCTION-MOSFETS UM VIER WEITERE 650V-BAUSTEINE

Die neuen Bausteine bauen auf dem Erfolg der aktuellen Versionen auf und werden hauptsächlich in Anwendungen wie Industrie- und Beleuchtungsstromversorgungen sowie anderen Anwendungen eingesetzt, in denen höchste Effizienz bei kleinem Formfaktor gefragt ist.

Die neuen MOSFETs TK090E65Z, TK110E65Z, TK155E65Z und TK190E65Z verringern im Vergleich zur vorherigen DTMOS-Generation die Kennzahl (FoM) Drain-SourceDurchlasswiderstand (RDSON) x Gate-Drain-Ladung (Qgd) um 40%. Dies führt zu erheblich geringeren Schaltverlusten gegenüber früheren Bauelementen. Designs, die mit den neuen MOSFETs ausgestattet sind, werden damit wesentlich effizienter. Die Leistungsverbesserung gilt sowohl für neue Designs als auch für Upgrades bestehender Designs.

Alle vier neuen Bausteine bieten eine Drain-Source-Spannung (UDSS) von 650V mit einem Drain-Strom (ID) von bis zu 30A. Der Drain-Source-Durchlasswiderstand (RDSON) beträgt nur 0,09 und die Gate-Drain-Ladung (Qgd) kann bis zu 7,1nC betragen, was einen verlustarmen Betrieb bei hohen Schalt-Geschwindigkeiten ermöglicht. Alle Bauelemente werden im TO-220-Gehäuse für die Durchsteckmontage ausgeliefert.

Toshiba wird sein Angebot weiter ausbauen, um Markttrends gerecht zu werden und die Effizienz von Netzteilen und Stromversorgungen weiter zu verbessern.

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