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Neuer 150V-n-Kanal-Leistungs-MOSFET sorgt für effizientere Netzteile

Toshiba Electronics Europe GmbH (Toshiba) stellt einen 150V-n-Kanal-Leistungs-MOSFET vor, der im neuesten U-MOSX-H-Prozess gefertigt wird, um Verluste deutlich zu reduzieren. U-MOSX-H-Halbleiterprozess von Toshiba verringert Verluste und Spannungsspitzen in Leistungselektronikanwendungen.

Neuer 150V-n-Kanal-Leistungs-MOSFET sorgt für effizientere Netzteile

Darüber hinaus wurden die Spannungsspitzen zwischen Drain und Source während des Schaltens reduziert, um elektromagnetische Störungen (EMI) in Schaltnetzteilen zu verringern.

Der neue Baustein eignet sich für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter Schaltnetzteile in Industrieanlagen, Basisstationen und Rechenzentren.

Der neue TPH9R00CQH weist einen sehr niedrigen Drain-Source-Durchlasswiderstand (RDS(ON)) von nur 9 m (max. @UGS=10 V) auf. Dies sind ca. 42 % weniger im Vergleich zum bestehenden 150 V-Baustein (TPH1500CNH), der auf dem momentanen U-MOSVIII- H-Prozess basiert. Die Leistungskennzahlen (FoM) RDS(ON) x QSW und RDS(ON) x QOSS sind um etwa 20 bzw. 28 % gesunken, was die Leistungsfähigkeit weiter verbessert.

Durch sorgfältige Optimierung der Bauelementstruktur wurden die Ladungseigenschaften verbessert. Mit einer Gate-Gesamtladung (Qg) von nur 44 nC und einer Gate-Switch-Ladung (QSW) von 11,7 nC bietet der Baustein eine hervorragende Leistungsfähigkeit, insbesondere in Hochgeschwindigkeitsanwendungen.

Der neue TPH9R00CQH wird in zwei SMD-Gehäuseoptionen ausgeliefert: SOP Advance (5 mm x 6 mm) und SOP Advance(N) (4,9 mm x 6,1 mm), die je nach Anforderung zur Wahl stehen.

Die Serienfertigung des TPH9R00CQH hat bereits begonnen.

Toshiba wird sein Angebot an Leistungs-MOSFETs weiter ausbauen, um die Effizienz von Netzteilen durch geringere Verluste weiter zu verbessern und den Stromverbrauch in allen Arten von Geräten zu verringern.

www.toshiba.semicon-storage.com
 

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