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Infineon News

Optimierte CoolSiC MOSFETs 650 V im D²PAK-Gehäuse reduzieren Verluste in der Anwendung und erhöhen die Zuverlässigkeit im Betrieb

Die Infineon Technologies AG reagiert auf diese Megatrends und die daraus resultierenden Anforderungen und bringt die neue Produktfamilie CoolSiC 650 V MOSFETs aus Siliziumkarbid (SiC) auf den Markt. Megatrends wie die Digitalisierung, Urbanisierung und Elektromobilität führen zu einem erhöhten Energiebedarf. Gleichzeitig gewinnt die Energieeffizienz immer mehr an Bedeutung.

Optimierte CoolSiC™ MOSFETs 650 V im D²PAK-Gehäuse reduzieren Verluste in der Anwendung und erhöhen die Zuverlässigkeit im Betrieb
Die CoolSiC™ MOSFETs 650 V in D²PAK mit .XT-Verbindungstechnologie bieten ein verbessertes Schaltverhalten bei höheren Strömen. Außerdem sind die Reverse-Recovery-Ladung (Qrr) und die Drain-Source-Ladung (Qoss) der neuen MOSFETs um 80 Prozent niedriger als bei der besten Silizium-Referenz. Die reduzierten Schaltverluste ermöglichen Hochfrequenzbetrieb bei kleineren Systemgrößen und damit eine höhere Effizienz und Leistungsdichte. Die Trench-Technologie ist die Grundlage für eine hervorragende Zuverlässigkeit des Gate-Oxids. Zusammen mit einer verbesserten Avalanche- und Kurzschluss-Robustheit sorgt dies für höchste Zuverlässigkeit des Systems – auch in rauen Umgebungen.

Sie zeichnet sich durch zuverlässige, einfach zu handhabende und kostengünstige Spitzenleistung aus. Die Bauteile basieren auf der hochmodernen SiC-Trench-Technologie von Infineon und werden in einem kompakten D²PAK SMD 7-Pin-Gehäuse mit .XT-Verbindungstechnologie geliefert. Sie eignen sich für Hochleistungsanwendungen wie Server, Telekommunikation, Industrie-SMPS, schnelles Laden von Elektrofahrzeugen, Motorantriebe, Solarenergiesysteme, Energiespeichersysteme und Batterieformation.

Die neuen Produkte bieten ein verbessertes Schaltverhalten bei höheren Strömen. Außerdem sind die Reverse-Recovery-Ladung (Q rr) und die Drain-Source-Ladung (Q oss) der neuen MOSFETs um 80 Prozent niedriger als bei der besten Silizium-Referenz. Die reduzierten Schaltverluste ermöglichen Hochfrequenzbetrieb bei kleineren Systemgrößen und damit eine höhere Effizienz und Leistungsdichte. Die Trench-Technologie ist die Grundlage für eine hervorragende Zuverlässigkeit des Gate-Oxids. Zusammen mit einer verbesserten Avalanche- und Kurzschluss-Robustheit sorgt dies für höchste Zuverlässigkeit des Systems – auch in rauen Umgebungen. Die SiC-MOSFETs eignen sich für Topologien mit wiederholter harter Kommutierung sowie für hohe Temperaturen und raue Betriebsbedingungen. Aufgrund eines sehr niedrigen Einschaltwiderstands (R DS(on)) in Abhängigkeit von der Temperatur bieten die Bauteile zudem ein ausgezeichnetes thermisches Verhalten.

Mit einem weiten Gate-Source-Spannungsbereich (V GS) von -5 V bis 23 V, der Unterstützung von 0 V Abschalt-V GS und einer Gate-Source-Schwellenspannung (V GS(th)) von mehr als 4 V arbeitet die neue Familie auch mit Standard-MOSFET-Gate-Treiber-ICs. Darüber hinaus ermöglicht die Produktfamilie bidirektionale Topologien und volle dv/dt-Steuerbarkeit. Zusätzlich reduziert sie die Systemkosten und -komplexität und ermöglicht eine einfache Adaption und Integration. Die .XT-Verbindungstechnologie verbessert die thermischen Eigenschaften des Gehäuses erheblich. So können im Vergleich zu einer Standardverbindung bis zu 30 Prozent zusätzliche Verluste abgeleitet werden. Mit zehn neuen Produkten ist das Infineon D²PAK 7-Pin-Portfolio an SiC-MOSFETs das umfangreichste auf dem Markt.

Verfügbarkeit
Die neuen CoolSiC MOSFETs 650 V im 7-pin D2PAK (TO-263-7)-Gehäuse können ab sofort bestellt werden. Weitere Informationen sind erhältlich unter www.infineon.com/coolsic-mosfet-discretes.

Mehr Informationen zum Beitrag von Infineon im Bereich Energieeffizienz: www.infineon.com/green-energy

www.infineon.com
 

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