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onsemi stellt hochleistungsfähige, verlustarme SUPERFET-V-MOSFETs für Server und Telekommunikation vor

Neue MOSFETs bieten hervorragende Schalteigenschaften und ermöglichen Netzteile mit einem Wirkungsgrad von 80 PLUS Titanium.

onsemi stellt hochleistungsfähige, verlustarme SUPERFET-V-MOSFETs für Server und Telekommunikation vor

onsemi (Nasdaq: ON), ein führender Anbieter intelligenter Leistungselektronik und Sensoren, stellt seine neue Serie von 600V-SUPERFET-V-MOSFETs vor. Die hochleistungsfähigen Bausteine ermöglichen Stromversorgungen, die hohe Effizienzvorgaben wie 80 PLUS Titanium erfüllen, insbesondere im anspruchsvollen Lastbereich von 10%. Die drei Varianten der 600V-SUPERFET-V-Reihe – FAST, Easy Drive und FRET – sind so optimiert, dass sie in einer Vielzahl von Anwendungen und Topologien eine hohe Leistungsfähigkeit bieten.

Die neuen MOSFETs bieten hervorragende Schalteigenschaften und ein geringeres Gate-Rauschen, was zu einem verbesserten EMI-Verhalten führt – ein wesentlicher Vorteil für Server- und Telekommunikationssysteme. Darüber hinaus verbessert sich die Systemzuverlässigkeit durch eine robuste Body-Diode und erhöhte UGSS (DC ±30 V).

„Mit dem Ziel, den Klimawandel zu bekämpfen, erfordert die 80-Plus-Titanium-Zertifizierung, dass Server- und Massenspeicher-Hardware einen Wirkungsgrad von 90% bei 10% Last und einen Wirkungsgrad von 96% bei 50% Last erreicht“, erklärte Asif Jakwani, Senior Vice President und General Manager, Advanced Power Division, bei onsemi. „Die FAST-, Easy-Drive- und FRET-Versionen unserer SUPERFET-V-MOSFETs erfüllen diese Anforderungen und bieten eine robuste Lösung, die eine kontinuierliche Systemzuverlässigkeit gewährleistet.“

Die FAST-Versionen bieten höchste Effizienz in Hard-Switching-Topologien (wie Highend-Leistungsfaktorkorrektur/PFC) und sind auf geringe Gate-Ladung (Qg) und EOSS-Verluste getrimmt, um schnelles Schalten zu ermöglichen. Zu den ersten Bausteinen zählen der NTNL041N60S5H (41 mΩ RDS(on)) und der NTHL185N60S5H (185 mΩ RDS(on)), die beide im TO-247-Gehäuse ausgeliefert werden. Der NTP185N60S5H befindet sich im TO-220-Gehäuse und der NTMT185N60S5H im 8mm x 8mm x 1mm Power88-Gehäuse, das MSL 1 garantiert und über eine Kelvin-Source-Konfiguration zu einem verbesserten Gate-Rauschen und geringeren Schaltverlusten beiträgt.

Die Easy-Drive-Versionen eignen sich für Hard- und Soft-Switching-Topologien und enthalten einen internen Gate-Widerstand (Rg) sowie eine optimierte interne Kapazität. Sie eignen sich für den universellen Einsatz in vielen Anwendungen, einschließlich PFC und LLC. Die integrierte Zener-Diode zwischen Gate- und Source-Elektrode sorgt mit über 120 mΩ RDS(on) für eine geringere Belastung des Gate-Oxids und höhere ESD-Robustheit, was zu einer besseren Bestückungsausbeute und weniger Ausfällen im Feld führt. Aktuell sind zwei Bausteine mit 99 und 120 mΩ RDS(on) erhältlich – der NTHL099N60S5 und NTHL120N60S5Z werden beide im TO-247-Gehäuse ausgeliefert.

Die Fast-Recovery-/FRFET-Versionen eignen sich für Soft-Switching-Topologien wie phasenverschobene Vollbrücke (PSFB) und LLC. Sie bieten eine schnelle Body-Diode sowie reduzierte Qrr- und Trr-Werte. Die Robustheit der Diode erhöht die Systemzuverlässigkeit. Der NTP125N60S5FZ mit integrierter Zenerdiode bietet 125 mΩ RDS(on) im TO-220-Gehäuse; der NTMT061N60S5F bietet 61 mΩ im Power88-Gehäuse. Der MOSFET mit dem geringsten Verlust ist der NTHL019N60S5F mit einem RDS(on) von nur 19 mΩ im TO-247-Gehäuse.

www.onsemi.com

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