TOSHIBA STELLT LOW-SPIKE 40V-N-KANAL-LEISTUNGS-MOSFET VOR

Toshiba Electronics Europe GmbH („Toshiba“) stellt mit dem TPHR7404PU einen 40V-n-Kanal-MOSFET vor, der im neuesten U-MOSIX-H-Prozess gefertigt wird. Der MOSFET reduziert durch seine Low-spike Charakteristik das Überschwingen in Schaltanwendungen. Damit eignet er sich ideal für die sekundärseitige Synchrongleichrichtung in Schaltnetzteilen: Elektromagnetische Störungen (EMI) werden gemindert – und das bei einem äußerst niedrigen Durchlasswiderstand von nur 0,74mΩ (max.) bei einer UGS von 10V. Eine Gate-Schwellenspannung von 2 bis 3V (Id = 1mA) hilft, unbeabsichtigtes Einschalten, z.B. bei batteriebetriebenen Werkzeugen, zu vermeiden.

Der TPHR7404PU verfügt über einen neuen Zellenaufbau, der einen parasitären Snubber nutzt. So werden Rauschen und Ringing beim Schalten begrenzt. Dies führt zu geringeren Spannungs-Spitzen beim Schalten und zu verringerter Oszillation. Anwendungen wie hocheffiziente DC/DC-Wandler, Motortreiber und Schaltregler profitieren von dieser Low-Spike-Fähigkeit.

Der MOSFET wird im 5mm x 6mm SOP-Advance-Gehäuse ausgeliefert. Durch seine geringe Größe und den niedrigen Wärmewiderstand von 0,71°C/W zwischen Kanal und Gehäuse eignet er sich insbesondere für kompakte und effiziente Stromversorgungslösungen.

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