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Infineon präsentiert den branchenweit ersten strahlungsfesten, QML-V-qualifizierten NOR-Flash-Speicher für Space-Grade-FPGAs

Strahlungsfeste feldprogrammierbare Gate-Arrays (FPGAs) für die Raumfahrt erfordern Konfigurationsspeicher, die hochzuverlässig sind und eine hohe Dichte an nichtflüchtigen Speichern aufweisen.

Infineon präsentiert den branchenweit ersten strahlungsfesten, QML-V-qualifizierten NOR-Flash-Speicher für Space-Grade-FPGAs
Die 256-Mb- und 512-Mb-NOR-Flash-Speicher von Infineon sind strahlungsfest bis zu 30 krad (Si) biased und 125 krad (Si) unbiased. Bei 125°C unterstützen die Speicher 1.000 Programm- und Löschzyklen und 30 Jahre Datenerhalt, bei 85°C sind 10k Programm- und Löschzyklen mit 250 Jahren Datenerhalt möglich. Sie sind nach dem QML-V flow (QML-V Äquivalent) der MIL-PRF-38535 qualifiziert, dem höchsten Qualitäts- und Zuverlässigkeitsstandard für ICs in der Luft- und Raumfahrt.

Um dem wachsenden Bedarf an diesen Speichern gerecht zu werden, bringt Infineon Technologies LLC, ein Unternehmen der Infineon Technologies AG, die ersten strahlungsfesten High-Density NOR-Flash-Speicher auf den Markt. Die NOR-Flash-Speicher sind nach dem QML-V flow (QML-V Äquivalent) der MIL-PRF-38535 qualifiziert, dem höchsten Qualitäts- und Zuverlässigkeitsstandard für ICs in der Luft- und Raumfahrt.

Bei den nichtflüchtigen, strahlungsfesten 256-Mb- und 512-Mb-NOR-Flash-Speichern von Infineon handelt es sich um Single-Chip-Lösungen mit geringer Pin-Zahl für Anwendungen wie FPGA-Konfiguration, Bildspeicherung, Mikrocontroller-Daten und Boot-Code-Speicherung. Beim Einsatz mit höheren Taktraten übertrifft der von den Speichern unterstützte Datentransfer herkömmliche asynchrone NOR-Flash-Speicher mit parallelen Schnittstellen bei gleichzeitig drastisch reduzierter Pin-Anzahl.

Die NOR-Flash-Speicher sind strahlungsfest bis zu 30 krad (Si) biased und 125 krad (Si) unbiased. Bei 125°C unterstützen die Speicher 1.000 Programm- und Löschzyklen und 30 Jahre Datenerhalt, bei 85°C sind 10k Programm- und Löschzyklen mit 250 Jahren Datenerhalt möglich.


Infineon präsentiert den branchenweit ersten strahlungsfesten, QML-V-qualifizierten NOR-Flash-Speicher für Space-Grade-FPGAs

Als führender Anbieter von Speicherprodukten für die Raumfahrt hat Infineon die 65-nm-Floating-Gate-Flash-Prozesstechnologie eingesetzt, um den strahlungsfesten Quad-SPI (QSPI) mit 256 Mb und den Dual-Quad-SPI-NOR-Flash mit 512 Mb zu entwickeln. Beide Speicher verfügen über eine SDR-Schnittstelle mit 133 MHz. Das 512-Mbit-Bauteil besteht aus zwei unabhängigen 256-Mb-Die, die nebeneinander in einem einzigen Gehäuse Platz finden. Auf diese Weise können die Entwickler die Bauteile unabhängig voneinander im Dual-QSPI- oder Single-QSPI-Modus auf einem der beiden Die betreiben, wodurch das zweite Die auch als Backup-Lösung eingesetzt werden kann. Infineon arbeitet bei weltraumtauglichen Anwendungen eng mit führenden Anbietern von FPGA-Ökosystemen wie Xilinx zusammen.

„Unsere strahlungsfesten nichtflüchtigen Dual-QSPI-Speicher werden von den neuesten Space-Grade-FPGAs voll unterstützt. Sie ermöglichen eine erstklassige Lösung mit geringer Pin-Anzahl und Single-Chip-Select zur Konfiguration von Prozessoren und FPGAs“, sagte Helmut Puchner, VP Fellow of Aerospace and Defense bei Infineon Technologies LLC. „So kann beispielsweise die vollständige Konfiguration für den Xilinx Kintex ® UltraScale XQRKU060 im Dual-Quad-Modus in etwa 0,2 Sekunden geladen werden.“

Die NOR-Flash-Speicher können systemintern über das FPGA programmiert werden oder über ein eigenständiges Programmiergerät, das im gleichen 36-poligen Keramik-Flachgehäuse angeboten wird. Das Entwicklungskit und die Software von Infineon ermöglichen zudem eine einfache Design-Implementierung.

Verfügbarkeit

Die strahlungsfesten NOR-Flash-Speicher sind in einem 24 x 12 mm² großen, 36-poligen Keramik-Flatpack-Gehäuse erhältlich. Die Bausteine unterstützen Temperaturklassen von -55°C bis 125°C, mit SEU-Rate < 1 x 10-16 Upsets/Bit-Tag, SEL > 60 MeV.cm2/mg (85°C), SEFI > 60 MeV.cm2/mg (LET) und SEU-Schwelle > 28 Mev.cm2/mg (LET). Weitere Informationen sind erhältlich unter www.cypress.com/products/radiation-hardened-memory.

www.infineon.com

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