Infineon präsentiert CoolGaN IPS-Familie für Anwendungen im unteren und mittleren Leistungsbereich von 30 bis 500 W

Leistungsschalter auf Basis des Wide-Bandgap (WBG) Halbleiters Galliumnitrid (GaN) ermöglichen die Realisierung von Systemen mit hervorragendem Wirkungsgrad und hoher Schaltfrequenz.

Die 600 V CoolGaN IPS-Halbbrücke IGI60F1414A1L ist ideal geeignet für kompakte Lösungen im unteren bis mittleren Leistungsbereich. Sie wird in einem thermisch optimierten 8x8 QFN-28-Gehäuse geliefert, das Designs mit hoher Leistungsdichte ermöglicht. Das Bauteil kombiniert zwei 140 mΩ / 600 V CoolGaN e-mode HEMT-Schalter mit einem dedizierten isolierten 2-Kanal-Gatetreiber aus der EiceDRIVER-Familie von Infineon.

Damit eröffnet diese Technologie vollkommen neue Möglichkeiten in der Leistungselektronik. Um diese Entwicklung zu unterstützen, erweitert die Infineon Technologies AG ihr umfangreiches Portfolio an WBG-Leistungshalbleitern um die neue CoolGaN IPS-Produktfamilie (IPS – integrated power stage). Zu Beginn enthält das IPS-Portfolio sowohl Produkte mit Einzelschaltern als auch solche mit zwei Schaltern in Halbbrückenkonfiguration; Zielanwendungen sind Ladegeräte und Adapter sowie interne und externe Stromversorgungen.

Das 600 V CoolGaN IPS-Halbbrücken-Bauteil IGI60F1414A1L ist ideal geeignet für kompakte Lösungen im unteren bis mittleren Leistungsbereich. Es wird in einem thermisch optimierten 8x8 QFN-28-Gehäuse geliefert, das Designs mit hoher Leistungsdichte ermöglicht. Das Produkt kombiniert zwei 140 mΩ / 600 V CoolGaN e-mode HEMT-Schalter mit einem dedizierten isolierten 2-Kanal-Gatetreiber aus der EiceDRIVER-Familie von Infineon.

Durch die Verwendung eines isolierten Gatetreibers mit zwei digitalen PWM-Eingängen lässt sich der IGI60F1414A1L einfach ansteuern. Die integrierte Isolationsfunktion, die saubere Trennung von Digital- und Leistungsmasse und das einfache Leiterplatten-Layout tragen entscheidend zu verkürzten Entwicklungszeiten, reduziertem Aufwand und niedrigen Gesamtkosten bei. Die Isolation zwischen Gatetreiberein- und -ausgang basiert auf der bewährten „Coreless-Transformer“-(CT)-Technologie von Infineon, die ausgezeichnete Robustheit und Zuverlässigkeit auch für extrem schnelle Schaltvorgänge mit Transienten über 150 V/ns garantiert.

Das Schaltverhalten des GI60F1414A1L ist mittels weniger externer passiver Bauelement im Gatepfad konfigurierbar und kann somit leicht an verschiedene Anwendungen angepasst werden. Das ermöglicht beispielsweise eine Optimierung der Schaltgeschwindigkeit (EMI-Reduktion), die Programmierung des stationären Gatestroms oder die Wahl einer negativen Gatespannung für hartschaltende Systeme.

Darüber hinaus ermöglicht der IGI60F1414A1L durch die „System-in-Package“-Integration und die hochpräzisen und stabilen Signallaufzeiten im Gatetreiber die geringstmöglichen Totzeiten im Gesamtsystem. Das maximiert die Systemeffizienz und führt in der Folge zu einer hohen Leistungsdichte von bis zu 35 W/in³ bei Ladegerät- und Adapterlösungen. Flexible, einfache und schnelle Designs sind auch für viele andere Anwendungen inklusive Motorsteuerungen möglich.

Verfügbarkeit

Der IGI60F1414A1L ist in einem thermisch optimierten 8x8 QFN-28-Gehäuse erhältlich und kann ab sofort bestellt werden. Weitere Informationen sind erhältlich unter www.infineon.com/coolgan-ips. Die CoolGaN IPS-Halbbrücken werden auf der Virtual Power Conference von Infineon gezeigt, die die „PCIM Europe digital days“ begleitet.

www.infineon.com

  Fordern Sie weitere Informationen an…