Überspannungsschutz: TDK bietet extrem kleine TVS-Dioden für hocheffektiven ESD-Schutz
Die TDK Corporation präsentiert hochleistungsfähige TVS-Dioden in sehr kleinen Baugrößen zum ESD-Schutz und erweitert damit ihr reichhaltiges Portfolio an Bauelementen für den bidirektionalen Überspannungsschutz von I/O-Schnittstellen.
Der Flächenbedarf des sogenannten Chip Scale Package (CSP) liegt bei nur 400 x 200 µm2 (CSP01005), beziehungsweise 600 x 300 µm2 (CSP0201). Sehr gering ist auch die Bauhöhe von nur 100 µm.
Ausgelegt sind die neuen Typen für eine Betriebsspannung von 5 V und eine Ansprechspannung von 6,8 V. Die Klemmspannungen der beiden neuen TVS-Dioden betragen 7,2 V bei einem Spitzenimpulsstrom von 8 A bzw. 8 V bei einem Spitzenimpulsstrom von 16 A. Die beiden neuen TVS-Dioden unterscheiden sich in ihren parasitären Kapazitäten: Der Typ SD0201SL-GP101 mit der Bestellnummer B74121G0050M060 weist eine Kapazität von 12 pF auf, während der Typ SD01005SL-GP101 (B74111G0050M060) einen Kapazitätswert von nur 5 pF hat. Weitere Leistungsmerkmale sind die kurze Ansprechzeit und der geringe Leckstrom von nur 2 nA bei 3,3 V.
Die Schutzbauelemente sind entsprechend IEC 61000-4-2 für eine ESD-Kontakt-Entladung von bis zu 24 kV ausgelegt, was weit über den Standardanforderungen liegt. Trotz der geringen Baugröße sind die Bauelemente für hohe Stoßstrombelastungen von bis zu 8 A entsprechend IEC 61000-4-5 (8/20 µs) konzipiert.
Die neuen TVS-Dioden eignen sich für eine Vielzahl von Anwendungen für IoT, Smart Home oder Industrie 4.0. Aufgrund ihrer geringen Baugröße eignen sich die neuen Schutzbauelemente besonders für Wearables, Smartphones, Notebooks, Tablets, Smartwatches oder auch Hörgeräte.
Hauptanwendungsgebiete
- Geräte für IoT, Smart Home oder Industrie 4.0
- Smartphones, Notebooks, Tablets, Smartwatches oder Hörgeräte
Haupteigenschaften und -vorteile
- Bidirektionaler Schutz von I/O-Schnittstellen
- ESD-Schutz entsprechend IEC 61000-4-2
- Maximale Kontakt-Entladungsspannung von bis zu 24 kV
- Stoßstrombelastungen von bis zu 8 A entsprechend IEC 61000-4-5 (8/20 µs)
- Geringe Klemmspannung von 8 V
- Geringer Flächenbedarf von 400 x 200 µm2 bzw. 600 x 300 µm2 in Chip Scale Package
- Extrem geringe Bauhöhe von nur 100 µm
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