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'20
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Toshiba News
KOMPAKTE MOSFETS MIT NIEDRIGEM DURCHLASSWIDERSTAND VON TOSHIBA VERBESSERN DEN BATTERIEBETRIEB
Toshiba Electronics Europe GmbH („Toshiba“) baut mit dem SSM6N951L sein Angebot an verlustarmen n-Kanal-MOSFETs weiter aus. Die 12V-Common-Drain-MOSFETs basieren auf Toshibas Know-how im Bereich Leistungshalbleiter-Prozesstechnik, neuestem IP und weisen zahlreiche führende Leistungsparameter auf.
Der SSM6N951L ist speziell für den Einbau in die Batterieschutzschaltung von Li-IonenAkku-Packs vorgesehen. Aufgrund seines sehr geringen Durchlasswiderstands (max. 4,6mΩ bei UGS=3,8V) und minimalen Gate-Source-Leckstroms (max. 1μA bei UGS=8V) bietet dieser diskrete Leistungselektronikbaustein viel bessere Wärmeeigenschaften als andere vergleichbare Bauelemente. Dies zahlt sich während der Lade-/Entladezyklen der Akku-Packs aus, da sich Lösungen mit höherer Dichte entwickeln lassen, die schnellere Ladevorgänge unterstützen, eine viel höhere Zuverlässigkeit bieten und eine längere Lebensdauer aufweisen.
Die neuen MOSFETs werden im flachen TCSP6A-172101-Gehäuse (2,14mm x 1,67mm x 0,11mm) ausgeliefert, was den Einbau in moderne platzsparende akkubetriebenen Geräten begünstigt.
www.toshiba.com
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