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Toshiba erweitert Super-Junction-n-Kanal-MOSFETs um neue 650VVarianten

Verbesserte Güte/FoM erhöht den Wirkungsgrad von Stromversorgungen.

Toshiba erweitert Super-Junction-n-Kanal-MOSFETs um neue 650VVarianten

Toshiba Electronics Europe („Toshiba“) bietet acht neue Super-Junction-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs an und baut damit seine DTMOSVI-Serie weiter aus – die sich durch ihr hervorragendes Verhältnis zwischen Durchlasswiderstand und schneller Schaltgeschwindigkeit bereits erfolgreich am Markt etabliert hat.

Die für 650V ausgelegten Varianten TK110N65Z, TK110Z65Z, TK110A65Z, TK125V65Z, TK155A65Z, TK170V65Z, TK190A65Z und TK210V65Z bieten durchweg hohe Leistungsparameter. Die MOSFETs bieten im Vergleich zur vorherigen DTMOSGeneration einen 40% geringeren FoM-Wert (Figure of Merit; Güte) in Sachen „DrainSource-Durchlasswiderstand x Gate-Drain-Ladung (Qgd)“. Damit können sie den Wirkungsgrad von Schaltnetzteilen um ca. 0,36% steigern und die Schaltverluste im Vergleich zur vorherigen Generation erheblich senken.

Die neuen MOSFETs eignen sich für Schaltnetzteile in industriellen Anwendungen, einschließlich Rechenzentren, Notstromquellen und für Power Conditioner in Solaranlagen. Sie erhöhen die Leistungsfähigkeit beim Austausch bestehender Bauelemente. Der TK110Z65Z, TK125V65Z, TK170V65Z und TK210V65Z bieten einen Kelvin-Source-Pin für eine verbesserte Steuerung und einen höheren Wirkungsgrad. TK110N65Z und TK110Z65Z werden im TO-247-Gehäuse mit 3/4 Pins ausgeliefert, während der TK110A65Z, TK155A65Z und TK190A65Z im voll isolierten TO-220SISGehäuse bereitstehen. Der TK125V65Z, TK170V65Z und TK210V65Z sind SMD Bauteile im 8mm x 8mm DFN-Gehäuse. Damit stehen nun DTMOSVI-Bausteine unabhängig von den jeweiligen Anforderungen auf der Leiterplatte zur Verfügung.

www.toshiba.semicon-storage.com

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