Toshiba stellt verbesserten 1350V-IGBT für Haushaltsgeräte vor

Baustein bietet Designflexibilität und geringere Verluste in resonanzbasierten Anwendungen mit hoher Leistungsaufnahme.

Toshiba Electronics Europe GmbH („Toshiba“) stellt einen neuen diskreten 1350V-IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) für resonanzbasierte Haushaltsgeräte wie Induktionsherde, Tischkocher, Reiskocher und Mikrowellen vor.

Der neue GT20N135SRA weist eine Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (UCE(sat)) von 1,6V (typ.) und eine Dioden-Durchlassspannung (UF) von 1,75V auf. Im Vergleich zu herkömmlichen Bausteinen entspricht dies einer Reduzierung von etwa 10 bzw. 21%. Da die Leitungsverluste bei hohen Temperaturen (TC=100°C) sowohl beim IGBT als auch der Diode verringert wurden, sorgt der Baustein für einen effizienteren Betrieb.

Darüber hinaus erlaubt der verbesserte maximale Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Gehäuse (Rth(j-c)) von 0,48°C/W eine einfachere thermische Auslegung mit kleinerem Kühlkörper. Verglichen mit bestehenden Bausteinen wird so etwa 26% weniger Verlustwärme erzeugt.

Der neue GT20N135SRA kann den Kurzschlussstrom, der beim Einschalten des Geräts erzeugt wird, durch einen Resonanzkondensator unterdrücken. Der maximale Kurzschlussstrom des neuen Produktes beträgt 129A und ist damit fast ein Drittel geringer als bei bestehenden Bausteinen. Der sichere Betriebsbereich (SOA; Safe Operating Area) wurde erweitert. Ein Ausfall des IGBTs wird so weniger wahrscheinlich, was Entwicklern mehr Flexibilität bietet.

Der Baustein wird im TO-247-Standardgehäuse ausgeliefert und kann einen maximalen Kollektorstrom (IC) von 40A verarbeiten, der durch Derating auf 20A bei 100°C verringert wird.

www.toshiba.semicon-storage.com

  Fordern Sie weitere Informationen an…