Toshiba stellt zwei neue 80V n-Kanal-Leistungs-MOSFETs vor

Basierend auf dem U-MOSX-H-Prozess werden die neuen Bausteine den Wirkungsgrad bei der Stromversorgung deutlich verbessern.

Toshiba Electronics Europe (“Toshiba”) stellt zwei neue 80V n-Kanal-Leistungs-MOSFETs auf Basis des neuesten U-MOSX-H-Prozess vor. Beide Bausteine eignen sich für verschiedenste Stromversorgungs -Anwendungen, bei denen ein verlustarmer Betrieb wichtig ist, u.a. für die hocheffiziente AC/DC- und DC/DCWandlung in Rechenzentren und Basisstationen sowie einer Vielzahl von Antriebssteuerungen.

Der TPH2R408QM und TPN19008QM sind 80V-U-MOSX-H-Bausteine, die im Vergleich zu entsprechenden 80V-Leistungs-MOSFETs auf Basis früherer Prozesse wie U-MOSVIIIH einen um 40% geringeren Durchlasswiderstand (RDS(ON)) aufweisen. Folglich bietet der TPN19008QM einen RDS(ON)-Wert von 19mΩ (max.) und der TPH2R408QM einen Wert von nur 2,43mΩ.

Durch einen optimierten Aufbau wurde das Produkt aus RDS(ON) und Gate-Ladung um bis zu 15% und das Produkt aus RDS(ON) und Ausgangsladung um 31% verbessert. Zusammen mit dem verbesserten RDS(ON) weisen die neuen Leistungs-MOSFETs die branchenweit niedrigste Verlustleistung auf.

Beide Bausteine werden in SMD-Gehäusen ausgeliefert und sind für eine Drain-SourceSpannung (UDSS) von 80V ausgelegt. Die maximale Kanaltemperatur (Tch) beträgt 175°C. Der TPN19008QM ist für einen Drainstrom (ID) von 34A ausgelegt und befindet sich in einem 3,3mm x 3,3mm TSON-Advance-Gehäuse, während der TPH2R408QM für einen ID von 120A ausgelegt und im 5mm x 6mm SOP-Advance-Gehäuse verfügbar ist.

Die schrittweise Auslieferung der neuen Bausteine beginnt ab sofort.

www.toshiba.com

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