Toshiba stellt neuen IGBT/MOSFET-Treiber mit zwei Ausgängen vor

Toshiba Electronics Europe stellt einen neuen IGBT/MOSFETGate-Treiber vor, die mit zusätzlichen Funktionen ausgestattet ist. Der neue TLP5231 kann dazu beitragen, Schaltungsdesigns in verschiedenen Anwendungen zu vereinfachen, wie z.B. in industriellen Wechselrichtern, unterbrechungsfreien Stromversorgungen (USV), Power Conditionern für Solarenergie und in Motorsteuerungen.

Der Pre-Driver TLP5231 verfügt über zwei Ausgänge, mit denen sich externe p- und nKanal-MOSFETs für Strompuffer ansteuern lassen. Dies ermöglicht den Einsatz verschiedener MOSFETs mit unterschiedlichen Nennströmen, sodass sich der IGBT von einer Rail-to-Rail-Gate-Spannung steuern lässt. Der Treiber kann als Quelle und Senke Spitzenströme bis zu 2,5A liefern bzw. ableiten und ist für dauerhaft 1A ausgelegt.

Der Baustein bietet eine Überstromerkennung durch Erfassung von UCE(sat) sowie eine Unterspannungssperre (UVLO), die beide ein Open-Collector-Fehlersignal an die Primärseite liefern. Diese Funktionen sind bei bereits existierenden Produkten (TLP5214 und TLP5214A) nicht verfügbar. Deren Integration in den TLP5231 vereinfacht damit das Design von Gate-Ansteuerschaltungen erheblich.

Zusätzlich lässt sich die „Gate-Spannungs-Soft-Turn-Off-Zeit“ nach der UCE(sat)- Überstromerkennung durch einen weiteren externen n-Kanal-MOSFET einstellen. Die Ausbreitungsverzögerungen (L/H & H/L) betragen nur 100ns.

Obwohl der TLP5231 in einem kompakten SO16L-Gehäuse für die SMD-Bestückung integriert ist, bietet er eine Isolationsspannung (BVs) von mindestens 5000Veff mit einer internen Isolationsdicke von mehr als 0,4mm. Die Kriech- und Luftstrecken betragen mindestens 8mm, womit sich der Treiber auch für sicherheitskritische Anwendungen eignet.

Der neue Baustein ist ab sofort erhältlich.