ON Semiconductor stellt neue 900- und 1200 V-SiC-MOSFETs 
für anspruchsvolle Anwendungen vor

Neue SiC-MOSFETs erhöhen die Leistungsfähigkeit, den Wirkungsgrad 
und arbeiten unter rauen Bedingungen.

ON Semiconductor (Nasdaq: ON), Vorreiter im Bereich energieeffizienter Innovationen, erweitert sein Angebot an Halbleiterbauelementen mit breiter Bandlücke (WBG; Wide Bandgap) um zwei weitere Serien von Siliziumkarbid-(SiC-)MOSFETs. Die neuen Bausteine eignen sich für anspruchsvolle, wachstumsstarke Anwendungen, u.a. für Solarwechselrichter, On-Board-Ladegeräte für Elektrofahrzeuge (EV), unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV), Server-Stromversorgungen und EV-Ladestationen. Die neuen SiC-MOSFETs bieten Leistungsniveaus, die mit bisherigen Silizium-(Si-)MOSFETs einfach nicht möglich waren.

Die neuen 1200- und 900 V-n-Kanal-SiC-MOSFETs von ON Semiconductor bieten im Vergleich zu Si-Varianten eine schnellere Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit. Die integrierte Body-Diode mit geringer Sperrverzögerungsladung reduziert die Leistungsverluste erheblich und erhöht die Betriebsfrequenzen sowie die Leistungsdichte der Gesamtlösung.

Der HF-Betrieb verbessert sich durch die kleine Chipgröße, die zu einer geringeren Bauteilkapazität und reduzierten Gateladung Qg (bis hinab auf 220 nC) führt, wodurch sich die Schaltverluste beim Betrieb mit hohen Frequenzen verringern. Diese Verbesserungen erhöhen den Wirkungsgrad, reduzieren elektromagnetische Störungen (EMI) im Vergleich zu Si-basierten MOSFETs und ermöglichen den Einsatz von weniger (und kleineren) passiven Bauelementen. Die robusten SiC-MOSFETs bieten im Vergleich zu Si-Bauelementen höhere Stoßspannungswerte, verbesserte Lawineneigenschaften und sind robuster bei Kurzschlüssen, was die höhere Zuverlässigkeit und längere Lebensdauer ermöglicht, die in anspruchsvollen modernen Leistungselektronikanwendungen gefordert ist. Eine niedrigere Durchlassspannung sorgt für ein schwellenfreies Durchlassverhalten, was die statischen Verluste im leitenden Zustand des MOSFETs verringert.

1200V-Bausteine sind für bis zu 103 A (IDmax) ausgelegt; 900V-Bausteine bis 118 A. Für Anwendungen, die höhere Ströme erfordern, lassen sich die MOSFETs von ON Semiconductor aufgrund ihres positiven Temperaturkoeffizienten bzw. ihrer Temperaturunabhängigkeit problemlos parallel betreiben.

Gary Straker, Vice President und General Manager der Power MOSFET Division in der Power Solutions Group bei ON Semiconductor, zu den neuen SiC-MOSFETs: „Wollen Entwickler die hohen Anforderungen hinsichtlich mehr Effizienz und Leistungsdichte in modernen Anwendungen für erneuerbare Energien, Automobilelektronik, IT- und Telekommunikationstechnik erfüllen, benötigen sie MOSFETs mit hoher Leistungsfähigkeit und Zuverlässigkeit. Unsere WBG-SiC-MOSFETs sind genau dafür ausgelegt und steigern die Leistungsfähigkeit über das hinaus, was mit Si-MOSFETs möglich war.“ Straker weiter: „Die neuen SiC-MOSFETs bieten geringere Verluste, höhere Betriebstemperaturen, schnelleres Schalten, verbesserte EMI und sind zuverlässiger. Wir unterstützen die Entwicklergemeinde dabei mit einer Vielzahl von Ressourcen und Tools, die das Design vereinfachen und beschleunigen.“

Alle SiC-MOSFETs von ON Semiconductor sind blei- und halogenfrei. Die für Automotive-Anwendungen vorgesehenen Bausteine sind AEC-Q100-qualifiziert und PPAP-fähig. Alle neuen MOSFETs werden in den Standardgehäusen TO-247 oder D2PAK ausgeliefert.

www.onsemi.com/support/design-resources

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