Bel Fuse bringt medizinisches 100-W-GaN-Netzteil mit USB-C heraus

Bel Fuse Inc. hat mit der SDM100G-Serie eine neue Familie von 100-Watt-Tischnetzteilen vorgestellt, die speziell für den Einsatz im medizinischen Bereich entwickelt wurde. Als erste medizinische USB-Typ-C-Netzteilreihe des Unternehmens kombiniert das System moderne USB-C Power Delivery (PD) mit hocheffizienter Galliumnitrid-Technologie (GaN). Diese Architektur bietet Entwicklern von tragbaren Medizingeräten, Patientenfernüberwachungssystemen und mobilen Arbeitsstationen eine kompakte Ladeplattform, die proprietäre Netzanschlüsse überflüssig macht und zur Reduzierung von Elektroschrott beiträgt.

Flexible Spannungsversorgung und MOPP-Patientenschutz
Um ein möglichst breites Spektrum an Geräten mit einer einzigen Plattform zu versorgen, unterstützt die SDM100G-Serie fünf dynamische USB-C-PD-Ausgangsspannungen: 5 V, 9 V, 12 V, 15 V und 20 V. Die Netzteile werden in den Versionen SDM100G-U und SDM100G-D angeboten, die mit den Wechselstrom-Eingängen C8 (Klasse II) beziehungsweise C14 (Klasse I) ausgestattet sind, um verschiedenen regionalen elektrischen Normen zu entsprechen. Für den kritischen Einsatz im Gesundheitswesen ist die Serie nach der strengen Medizinnorm IEC/UL 60601-1 zertifiziert. Sie verfügt über MOPP-Klassifizierungen (Means of Patient Protection) zur sicheren galvanischen Trennung und zum Schutz vor Stromschlägen sowie über integrierte Überstrom- und Kurzschlussschutzschaltungen.

Zusätzlicher Kontext: Galliumnitrid (GaN) in der Medizintechnik
Dieser Abschnitt enthält technische Spezifikationen und Wettbewerbs-Benchmarking, die nicht in der ursprünglichen Produktankündigung enthalten sind.

Historisch bedingt waren medizinisch zugelassene Netzteile (gemäß der Norm IEC 60601-1) oftmals sehr klobig und schwer. Das lag daran, dass sie intern vergrößerte Kriech- und Luftstrecken sowie voluminöse Transformatoren benötigen, um die geforderten strengen Isolationsbarrieren (wie 2x MOPP) physikalisch sicherzustellen. Der Einsatz von Galliumnitrid (GaN) als Halbleitermaterial der breiten Bandlücke (Wide Bandgap) revolutioniert nun auch diesen hochregulierten Bereich. GaN-Transistoren schalten erheblich schneller und mit weitaus geringeren Schalt- und Wärmeverlusten als herkömmliche Silizium-MOSFETs. Diese drastisch erhöhte Schaltfrequenz ermöglicht es Ingenieuren, die Größe der passiven Bauteile im Netzteil – wie magnetische Übertrager und Glättungskondensatoren – massiv zu verkleinern. In Kombination mit dem standardisierten USB-C-PD-Protokoll, das Strom und Spannung dynamisch mit dem Endgerät aushandelt, können Krankenhäuser durch GaN-basierte Netzteile das Transportgewicht mobiler Diagnostikaudrüstung deutlich reduzieren, ohne dabei Kompromisse bei der elektrischen Patientensicherheit einzugehen.

Bearbeitet von einem Industrie-Journalisten, Lekshman Ramdas, mit KI-Unterstützung.

www.belfuse.com