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Infineon stattet Fox ESS mit Siliziumkarbid-Technologie aus
Fortschrittliche CoolSiC-MOSFETs reduzieren die Schaltverluste um 70 Prozent und steigern die Effizienz in Wohngebiets-Energiespeichersystemen.
www.infineon.com
Die CoolSiC MOSFETs 1200 V G2 von Infineon im oberseitig gekühlten Q-DPAK-Gehäuse sorgen für optimierte thermische Leistung, Systemeffizienz und Leistungsdichte.
Die Infineon Technologies AG liefert ihre Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter (SiC) an Fox ESS, um die Leistung von deren privaten Energiespeichersystemen (ESS) zu verbessern. Durch die Integration von Infineons CoolSiC™-MOSFETs 1200 V G2 im Q-DPAK-Gehäuse ist es Fox ESS gelungen, die Schaltverluste um 70 Prozent zu senken. Diese Integration ermöglicht es dem Energiespeichersystem PQ3-Ultra, im netzgekoppelten Betrieb einen Spitzen-Wirkungsgrad des Photovoltaik-Wechselrichters von bis zu 98,78 Prozent sowie einen Spitzen-Wirkungsgrad beim Batterie-Laden/Entladen von 98,47 Prozent zu erreichen. Die Unternehmensleitungen beider Firmen betonten, dass diese Zusammenarbeit darauf abzielt, leistungsstarke und zuverlässige Lösungen bereitzustellen, die die breitere Einführung sauberer Energie in Haushalten weltweit unterstützen.
Thermische Optimierung und Rekordergebnisse
Die CoolSiC-MOSFETs nutzen Infineons fortschrittliche .XT-Verbindungstechnologie und ein oberseitig gekühltes Q-DPAK-Gehäuse, um die thermische Leistung und die Leistungsdichte zu optimieren. Das Design mit Oberseitengühlung verbessert das Layout von Leiterplatten (PCBs), indem es Streuinduktivitäten und parasitäre Effekte im Vergleich zu herkömmlichen unterseitig gekühlten Methoden reduziert. Dieser kompakte Fußabdruck unterstützt platzsparende Konfigurationen und eine automatisierte Bestückung für eine kosteneffiziente, skalierbare Fertigung. Dank dieser Technologie erzielte die hybride ESS-Lösung von Fox ESS – bestehend aus dem Wechselrichter PQ-H3-Ultra-10.0 und der Batterie EQ3300-5 – bei einem Test der HTW Berlin und AQUU Research im Jahr 2026 einen Rekordwert beim System Performance Index (SPI) von 97,0 Prozent und belegte damit den ersten Platz in der 10-kW-Klasse.
Zusätzlicher Kontext: Technologischer Hintergrund und Marktdynamik
Dieser Abschnitt bietet einen technologischen und marktbezogenen Hintergrund, der in der ursprünglichen Pressemitteilung nicht explizit aufgeführt ist.
Die Einführung von Siliziumkarbid-Halbleitern (SiC) stellt einen bedeutenden technologischen Sprung gegenüber herkömmlichen siliziumbasierten Komponenten (wie IGBTs) in der Leistungselektronik dar. Da SiC den Betrieb von Geräten bei höheren Schaltfrequenzen mit deutlich geringeren Leit- und Schaltverlusten erlaubt, reduziert es drastisch die erforderliche Größe passiver magnetischer Bauteile und Kühlkörper. Im wettbewerbsintensiven Markt für Solar-Speicher-Systeme für Privathaushalte übersetzt sich dies direkt in kleinere, leichtere und leiser arbeitende wandmontierte Hybrid-Wechselrichter. Darüber hinaus ist die Architektur mit Oberseitengühlung von entscheidender Bedeutung für Designs mit hoher Leistungsdichte; indem Wärme direkt nach oben in einen Kühlkörper abgeleitet wird, anstatt sie durch die Leiterplatte zu pressen, werden thermische Engpässe vermieden, benachbarte empfindliche Bauteile geschützt und die für jahrzehntelange Energiespeichergarantien erforderliche Langzeitzuverlässigkeit sichergestellt.
Redaktionell bearbeitet von Lekshman Ramdas, Induportals-Redakteur – angepasst durch KI.
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Die Infineon Technologies AG liefert ihre Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter (SiC) an Fox ESS, um die Leistung von deren privaten Energiespeichersystemen (ESS) zu verbessern. Durch die Integration von Infineons CoolSiC™-MOSFETs 1200 V G2 im Q-DPAK-Gehäuse ist es Fox ESS gelungen, die Schaltverluste um 70 Prozent zu senken. Diese Integration ermöglicht es dem Energiespeichersystem PQ3-Ultra, im netzgekoppelten Betrieb einen Spitzen-Wirkungsgrad des Photovoltaik-Wechselrichters von bis zu 98,78 Prozent sowie einen Spitzen-Wirkungsgrad beim Batterie-Laden/Entladen von 98,47 Prozent zu erreichen. Die Unternehmensleitungen beider Firmen betonten, dass diese Zusammenarbeit darauf abzielt, leistungsstarke und zuverlässige Lösungen bereitzustellen, die die breitere Einführung sauberer Energie in Haushalten weltweit unterstützen.
Thermische Optimierung und Rekordergebnisse
Die CoolSiC-MOSFETs nutzen Infineons fortschrittliche .XT-Verbindungstechnologie und ein oberseitig gekühltes Q-DPAK-Gehäuse, um die thermische Leistung und die Leistungsdichte zu optimieren. Das Design mit Oberseitengühlung verbessert das Layout von Leiterplatten (PCBs), indem es Streuinduktivitäten und parasitäre Effekte im Vergleich zu herkömmlichen unterseitig gekühlten Methoden reduziert. Dieser kompakte Fußabdruck unterstützt platzsparende Konfigurationen und eine automatisierte Bestückung für eine kosteneffiziente, skalierbare Fertigung. Dank dieser Technologie erzielte die hybride ESS-Lösung von Fox ESS – bestehend aus dem Wechselrichter PQ-H3-Ultra-10.0 und der Batterie EQ3300-5 – bei einem Test der HTW Berlin und AQUU Research im Jahr 2026 einen Rekordwert beim System Performance Index (SPI) von 97,0 Prozent und belegte damit den ersten Platz in der 10-kW-Klasse.
Zusätzlicher Kontext: Technologischer Hintergrund und Marktdynamik
Dieser Abschnitt bietet einen technologischen und marktbezogenen Hintergrund, der in der ursprünglichen Pressemitteilung nicht explizit aufgeführt ist.
Die Einführung von Siliziumkarbid-Halbleitern (SiC) stellt einen bedeutenden technologischen Sprung gegenüber herkömmlichen siliziumbasierten Komponenten (wie IGBTs) in der Leistungselektronik dar. Da SiC den Betrieb von Geräten bei höheren Schaltfrequenzen mit deutlich geringeren Leit- und Schaltverlusten erlaubt, reduziert es drastisch die erforderliche Größe passiver magnetischer Bauteile und Kühlkörper. Im wettbewerbsintensiven Markt für Solar-Speicher-Systeme für Privathaushalte übersetzt sich dies direkt in kleinere, leichtere und leiser arbeitende wandmontierte Hybrid-Wechselrichter. Darüber hinaus ist die Architektur mit Oberseitengühlung von entscheidender Bedeutung für Designs mit hoher Leistungsdichte; indem Wärme direkt nach oben in einen Kühlkörper abgeleitet wird, anstatt sie durch die Leiterplatte zu pressen, werden thermische Engpässe vermieden, benachbarte empfindliche Bauteile geschützt und die für jahrzehntelange Energiespeichergarantien erforderliche Langzeitzuverlässigkeit sichergestellt.
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