Kompakte SiC-MOSFETs bieten überlegene thermische und elektrische Leistungsfähigkeit
ROHM führt SiC-MOSFETs im flachen TOLL-Gehäuse ein, die für eine höhere Wärmeeffizienz und Energiedichte in kompakten Industrie- und Energiesystemen entwickelt wurden.
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Wie kompakte Industrie- und Energiesysteme von hocheffizienten SiC-MOSFETs im TOLL-Gehäuse profitieren
Fortschrittliche Stromversorgungssysteme wie KI-Server, Energiespeicherlösungen und kompakte PV-Wechselrichter benötigen zunehmend Bauelemente, die eine hohe Leistungsdichte unterstützen und gleichzeitig eine kleinere, flache Bauform ermöglichen. Mit steigenden Leistungsanforderungen – insbesondere in schlanken Totempole-PFC-Architekturen, bei denen Halbleitergehäuse weniger als 4 mm Bauhöhe aufweisen müssen – stehen Entwickler vor der Aufgabe, hohe Leistungsfähigkeit mit geringerem thermischen Widerstand und kleinerer Grundfläche zu kombinieren.
Verbesserte Wärmeleistung und reduzierte Baugröße
Um diese Anforderungen zu erfüllen, hat ROHM die Serienproduktion der SiC-MOSFET-Reihe SCT40xxDLL im TOLL-Gehäuse (TO-Leadless) gestartet. Im Vergleich zu herkömmlichen Gehäusen wie TO-263-7L mit vergleichbaren Spannungswerten und Einschaltwiderständen erreicht das neue Gehäuse rund 39 Prozent bessere thermische Leistung. Dies ermöglicht einen stabilen Hochleistungsbetrieb in Anwendungen, in denen die Wärmeabfuhr die Systemeffizienz begrenzt, und unterstützt eine höhere Leistungsdichte ohne zusätzliche Bauteilhöhe.
Die TOLL-Struktur reduziert zudem die Grundfläche um etwa 26 Prozent und erreicht eine flache Bauhöhe von 2,3 mm – nahezu die Hälfte herkömmlicher Gehäuse. Diese Eigenschaften machen die Serie ideal für kompakte Server-Stromversorgungen, Energiespeichersysteme und platzkritische Leistungsanwendungen, bei denen Bauhöhe und Leiterplattenfläche entscheidend sind.
Höhere Spannungsfestigkeit für robuste Systemleistung
Im Gegensatz zu vielen TOLL-Bauelementen, die üblicherweise auf 650 V begrenzt sind, unterstützt die ROHM-Serie Drain-Source-Spannungen bis 750 V. Dieser höhere Spannungsbereich ermöglicht geringere Gate-Widerstände, verbessert die Impulsfestigkeit und reduziert Schaltverluste. Diese Eigenschaften sind besonders relevant für hocheffiziente, hochfrequente Architekturen in leistungsdichten Server-Stromversorgungen und modernen erneuerbaren Energiesystemen.
Verfügbarkeit und Designunterstützung
Das Portfolio umfasst sechs Modelle mit Einschaltwiderständen zwischen 13 mΩ und 65 mΩ. Die Serienproduktion begann im September 2025. Die Bauelemente sind über große Distributoren wie DigiKey, Mouser und Farnell erhältlich. Zusätzlich stellt ROHM für alle sechs Modelle Simulationsdaten auf der Unternehmenswebsite bereit, um eine schnelle Evaluierung während der Schaltungsentwicklung zu unterstützen.
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