Toshiba bringt DTMOSVI-Super-Junction-Leistungs-MOSFET auf den Markt

Toshiba Electronics Europe GmbH („Toshiba“) präsentiert im Rahmen der DTMOSVI 600-V-Serie einen N-KanalSuperjunction-Leistungs-MOSFET mit 600 V im kompakten DFN8×8-Gehäuse. Der TK057V60Z hat eine Drain-Source-Spannung (VDSS) von 600 V und ist in der Lage, DrainStröme (ID) von bis zu 40 A zu liefern. Der typische Drain-Source-Widerstand (RDS(ON)) beträgt nur 0,047 Ω (max. 0,057 Ω) – die Gate-Drain-Ladung (Qgd) besticht mit niedrigen Werten von typisch 15 nC. Dank der hohen Effizienz des Bauteils und des kompakten Gehäuses kann die Leistungsdichte in Industrieanlagen maximiert werden. Zu den Anwendungsbereichen gehören Schaltnetzteile für Server in Rechenzentren, unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV) und Spannungsstabilisatoren für Photovoltaik-Anlagen.

Toshiba hat das Gate-Design und den Herstellungsprozess der DTMOSIV 600-V-Serie, zu der auch der TK057V60Z gehört, optimiert. Ziel war dabei eine Verringerung der Leistungszahl („Figure of Merit“, FoM) um ca. 36 % (definiert als RDS(ON) x Qg) und eine Reduzierung von RDS(ON) x Qdg um ca. 52 % im Vergleich zur derzeit erhältlichen Generation der DTMOSIV-H-Serie mit dem gleichen Spannungswert. Diese Verbesserungen verringern Leitungs-, Antriebs- und Schaltverluste und führen so zu einer erheblichen Steigerung der Effizienz in Netzteilschaltungen. Die Verwendung des kompakten, oberflächenmontierbaren DFN8×8-Gehäuses ermöglicht Technikern und Ingenieuren darüber hinaus, die Größe ihrer Endgeräte zu verringern. Ein Kelvin-SourcePin sorgt für eine korrekte Gate-Steuerung und hilft dabei, die Auswirkungen parasitärer Induktivität am Pin der Stromquelle zu vermeiden.

Außerdem bietet Toshiba Tools an, die das Schaltungsdesign für Schaltnetzteile unterstützen. Neben dem G0-SPICE-Modell, das die Funktion der Schaltung in kurzer Zeit X überprüft, sind jetzt auch hochpräzise G2-SPICE-Modelle verfügbar, die das Einschwingverhalten exakt reproduzieren.

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